Vishay Siliconix SIS128LDN-T1-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. SIS128LDN-T1-GE3는 단일 트랜지스터 FET로 설계되어, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 다양한 전력 변환 및 신호 제어 애플리케이션에서 안정적으로 작동합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어, 고정밀 전력 변환과 정밀 제어가 필요한 설계에 적합합니다. 여러 industry-standard 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 최신 구동 설계에 원활하게 통합될 수 있습니다. 주요 특징과 설계 이점 저 RDS(on) 구현: 컨덕션 손실을 낮춰 시스템 전체 효율성을 높이고, 발열 관리 부담을 경감합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 스위칭 손실을 최소화하고 고주파 구동에 안정적인 동작을 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 열 방산 특성으로, 고부하 환경에서도 지속적 성능 유지가 가능합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가…
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Vishay Siliconix
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SIHB35N60EF-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션을 전문으로 하는 확고한 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둡니다. SIHB35N60EF-GE3는 이러한 철학을 반영한 고성능 MOSFET로, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 동작, 가혹한 전기 및 열 환경에서도 안정적인 작동을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 구동되는 이 소자는 폭넓은 동작 조건에서 전력 변환과 정밀 제어를 가능하게 하며, 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 전력·신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃을 제공합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 전반의 효율성을 높입니다. Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 특성으로 전력 변환 효율을 향상합니다. Thermal Stability: 낮은 열저항성과 견고한 방열 성능으로 열 관리 부담을 완화합니다. Wide Operating Range: 광범위한 전압과 온도에서 안정적으로 작동합니다. Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK,…
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Vishay Siliconix SIS468DN-T1-GE3: 고신뢰성 트랜지스터–FET 단일 소자로 효율적 전원 및 신호 제어를 실현 개요 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션에 집중합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 노선을 추구하는 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIS468DN-T1-GE3는 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계된 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET 단일 소자입니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로, 전력 변환 효율을 높이고 전력 제어의 정밀성을 확보하도록 설계되어 다양한 동작 시나리오에서 폭넓은 운용 범위를 제공합니다. 또한 다수의 산업표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 간편한 통합을 지원합니다. 주요 특징 및 적용 분야 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실 감소로 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항과…
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Vishay Siliconix TN2404K-T1-GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 집중하는 세계적인 반도체 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. Vishay Intertechnology의 일환으로, 고성능 MOSFETs, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 제공하는 Vishay Siliconix는 다양한 분야에서 중요한 역할을 합니다. TN2404K-T1-GE3의 특징과 성능 Vishay Siliconix의 TN2404K-T1-GE3는 고성능 트랜지스터로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 안정적인 작동을 제공합니다. 이 MOSFET은 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하여 다양한 작동 조건에서도 뛰어난 성능을 발휘합니다. Vishay의 첨단 실리콘 프로세스를 사용하여 설계된 TN2404K-T1-GE3는 전자 기기에서 요구하는 고주파수 및 고전압 조건에서 우수한 성능을 보장합니다. 주요 특징으로는 낮은 RDS(on) (전도 손실 감소), 빠른 스위칭 성능, 우수한 열 안정성(저열 저항 및 강력한 열 방출), 광범위한 작동 범위(확장된 전압 및 온도 범위 지원), 패키지 유연성(TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준…
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Vishay Siliconix SQJ147ELP-T1_GE3: 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 기술적 특징 Vishay Siliconix SQJ147ELP-T1_GE3은 단일 포지션의 고성능 MOSFET으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 견고성을 강조하도록 설계되었다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 전력 변환의 효율성을 높이고 넓은 작동 조건에서도 안정적인 제어를 가능하게 한다. 주요 특징으로는 다음과 같은 요소들이 있다. 저 RDS(on): 도전 손실을 줄여 전체 시스템 효율을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 동작 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 성능 유지 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위를 확장해 다양한 환경에 적합 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성 증가 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 표준 충족 적용 시나리오 및 이점 SQJ147ELP-T1_GE3은 전력 관리와 신호 제어가 핵심인 다양한 영역에서 널리 활용된다. 이 MOSFET의 특징들이 실제 설계에서…
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Vishay Siliconix IRF620SPBF — 고신뢰성 FET를 통한 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 전력 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에서 오랜 전통과 신뢰를 쌓아온 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 그리고 장기 신뢰성에 집중합니다. IRF620SPBF는 이러한 강점을 바탕으로, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 까다로운 작업 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 단일 게이트 MOSFET입니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 전력 변환 및 정밀한 파워 컨트롤이 필요한 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 특징 및 성능 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템의 전력 효율을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 우수한 응답성과 제어 용이성을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 특성으로 고부하에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위 확대로 다양한 설계 여건을 포용합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 PCB 레이아웃과 설계 적응성을 높였습니다. 품질 및 규격: JEDEC,…
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Vishay Siliconix SQJ465EP-T1_GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하이엔드 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 개별 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 대한 강력한 집중을 통해, Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SQJ465EP-T1_GE3의 특성 Vishay Siliconix SQJ465EP-T1_GE3는 뛰어난 성능을 자랑하는 단일 FET, MOSFET 트랜지스터로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 가혹한 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. Vishay의 최신 실리콘 공정을 통해 설계된 이 제품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하여 다양한 운영 환경에서도 탁월한 성능을 발휘합니다. 이 트랜지스터는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어, 유연한 PCB 레이아웃 설계와 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 용이하게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성 제공 빠른 스위칭…
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Vishay Siliconix IRFR9120TRLPBF-BE3은 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 싱글 구성으로, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 설계에 최적화되어 있습니다. 이 부품은 빠른 스위칭 속도와 안정적인 동작 특성을 결합해 다양한 전력 변환 애플리케이션에서 신뢰성을 높이고, 시스템 전체의 발열 관리와 효율성을 개선합니다. 주요 특징 및 기술적 이점 저 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 전류 경로의 저항을 낮춰 더 높은 효율과 발열 관리의 여유를 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 열화와 스위칭 손실을 줄이며 고속 제어를 가능하게 합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 강한 발열 해소 특성으로 열 피크 상황에서도 안정적으로 동작합니다. 넓은 동작 범위: 폭넓은 전압 및 온도 조건에서 일관된 성능을 유지하도록 설계되었습니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지 옵션으로 PCB 레이아웃과 설계에 유연성을 제공합니다. 품질 및 규격 준수: JEDEC 표준 준수, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH와 호환되어 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 신뢰성 높은…
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개요 및 기술 요약 Vishay Siliconix SI3456DDV-T1-GE3는 단일형 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET로, 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성을 통해 고효율의 전력 변환과 정밀한 신호 제어를 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 설계되어 다양한 작동 조건에서 conduction 손실을 최소화하고 안정적인 동작을 보장합니다. 폭넓은 작동 전압과 온도 범위를 지원하며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성을 높이고 현대적인 파워/신호 제어 회로에 쉽게 통합할 수 있습니다. 열 관리 측면에서도 저열저항과 우수한 방열 특성을 제공해 고온 환경에서도 성능 저하를 억제합니다. JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 충족해 자동차, 산업, 소비자 전자 분야의 까다로운 규격에 대응합니다. 또한 ICHOME은 100% 정품 Vishay Siliconix 부품을 공급하며, 공인 추적 가능한 소싱, 경쟁력 있는 가격, 부품 선택에 대한 전문 기술 지원, 전 세계적 빠른 배송을 통해 리드타임 리스크를 낮추고 장기 생산 안정성을 지원합니다. 주요 특징 및 설계 유연성 낮은 RDS(on)로…
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Vishay Siliconix IRLZ34SPBF — 고신뢰성 트랜지스터 - FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 제조업체입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 집중하는 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 IRLZ34SPBF는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작 및 열적, 전기적 조건에서 안정적인 동작을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 소자는 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어, 다양한 운영 시나리오에서 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율성을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화되었습니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능. 넓은 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 및…
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