Vishay Siliconix

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SIHP35N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHP35N60E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문적으로 개발하는 회사입니다. 높은 전력 효율성, 뛰어난 열 성능, 그리고 오랜 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. SIHP35N60E-GE3의 특징과 성능 Vishay Siliconix의 SIHP35N60E-GE3는 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET - Single)로 설계되어 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 및 전기적 조건에서 안정적인 작동을 제공합니다. 이 제품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제작되어, 다양한 운용 시나리오에서 효율적인 전력 변환 및 정확한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 효율성이 뛰어나며, 높은 전력 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 애플리케이션에 최적화되어 빠른 응답과 낮은 지연시간을 구현합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능을 갖추고 있어, 고온에서도…
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SQ3460EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ3460EV-T1_GE3 — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현하다 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 핵심 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션을 통해 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되며, 고주파에서도 안정적으로 작동하는 파워 스테이지와 정밀 제어 회로를 가능하게 합니다. SQ3460EV-T1_GE3는 이러한 철학을 반영한 단일 트랜지스터(FET/MOSFET)로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열 조건에서도 견고한 작동을 제공합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 시스템 효율을 높이고, 소형 방열 솔루션으로도 강한 성능을 유지합니다. Fast Switching Performance: 고주파 응용에서의 스위칭 손실을 줄이고 빠른 제어 반응을 지원합니다. Thermal Stability: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도 범위를 커버하여 다양한 설계 상황에 적용할 수 있습니다. Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO…
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SQJA02EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJA02EP-T1GE3는 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET로 설계된 단일 소자이며, 효율적인 전력 및 신호 제어를 가능하게 합니다. Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 널리 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 focus로 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SQJA02EP-T1GE3는 이러한 기술적 강점을 바탕으로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기적/열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 설계된 이 소자는 폭넓은 작동 범위에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 지원합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 손쉬운 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징과 설계 이점 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 더 높은 효율을 실현합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 시스템의 응답 속도를 향상시키고 손실을 최소화합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 열 방출…
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IRFI9620GPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFI9620GPBF — 고신뢰성 Transistors, FETs, MOSFETs 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션을 전문으로 하는 유명한 반도체 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. IRFI9620GPBF는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하며, 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. 고급 실리콘 공정을 통해 폭넓은 동작 범위를 지원하고, 현대의 파워 변환 및 정밀 제어 설계에 최적화되어 있습니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 적합한 최적화된 스위칭 열 안정성: 낮은 열 저항 및 우수한 방열 특성 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위 확장 지원 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서 선택 가능 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하는 신뢰성 적용 분야 IRFI9620GPBF는…
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SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHF30N60E-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율과 제어를 한 차원 높이다 Vishay Siliconix는 전력 반도체 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC를 비롯한 디스크리트 솔루션으로 잘 알려져 있다. SIHF30N60E-GE3는 이러한 계보를 이어받아 단일 게이트 MOSFET로 설계되었으며, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 관리가 용이한 구성을 제공한다. 이 소자는 고전압·고온 환경에서도 안정적인 동작을 목표로 만들어졌고, 고주파 파워 변환과 정밀 제어가 필요한 현대의 전력 설계에 매력적인 선택지로 자리 잡고 있다. 핵심 특징 저 RDS(on): 도전 손실을 줄여 시스템 효율을 높이는 핵심 요소다. SIHF30N60E-GE3는 낮은 온저항으로 더 적은 열로 더 많은 전력을 전달한다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 영역에서의 전환 속도가 빨라 PWM 제어와 디지털 구동에서 이점이 크다. 과도 현상과 스위칭 손실을 최소화하는 데 도움이 된다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하에서도 안정적인 동작을 유지한다. 시스템 설계 시 방열 경로를 간소화할 수…
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SI4425FDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4425FDY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적인 전력 및 신호 제어를 실현 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디지털/아날로그 디스크리트 솔루션에 특화된 잘 알려진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있다. SI4425FDY-T1-GE3는 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 혹독한 전기적 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 단일 형 MOSFET이다. 이 소자는 Vishay의 진보된 실리콘 공정을 바탕으로 전력 변환 및 정밀 전력 제어를 다양한 작동 환경에서 지원한다. 표준 산업 규격의 패키지로 공급되어 PCB 레이아웃의 융통성과 설계 편의성을 높인다. 또한 JEDEC 표준 준수, 자동차 등급 AEC-Q101 모델, RoHS 및 REACH 규격을 충족하여 품질과 신뢰성을 동시에 확보한다. 주요 특징과 이점 SI4425FDY-T1-GE3의 핵심은 낮은 RDS(on)으로 인한 전도 손실 감소와 빠른 스위칭으로 고주파 응용에 적합한 성능을 제공하는 점이다. 넓은 작동 범위와 안정된 열 특성은 고온 환경에서도 일관된 동작을 가능하게 한다. 이 부품은 TO,…
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SQ3419AEEV-T1_GE3 Vishay Siliconix
개요 및 특징 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율, 열 성능, 신뢰성을 핵심으로 삼아 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. 이 맥락에서 SQ3419AEEV-T1_GE3는 단일 트랜지스터(FET/ MOSFET)로 설계되어 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 및 전기적 스트레스가 큰 환경에서도 안정적인 작동을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계와 레이아웃에 융통성을 제공합니다. 품질 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 등 국제 규격을 충족합니다. 적용 분야와 패키지 옵션 SQ3419AEEV-T1_GE3는 다음과 같은 분야에서 널리 활용됩니다. 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 자동차 전장: 차체 전장, 인포테인먼트, 조명, EV 서브시스템 산업 시스템: 모터 드라이브, 파워 서플라이, 자동화 제어 가전: 노트북,…
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SIHG052N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHG052N60EF-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 핵심 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 자랑합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이들의 솔루션은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택됩니다. SIHG052N60EF-GE3는 이러한 철학을 담아 설계된 단일 트랜지스터로, 낮은 컨덕턴스 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기·열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 진보된 실리콘 공정으로 개발된 이 소자는 전력 변환의 효율을 높이고, 다양한 구동 및 제어 시나리오에서 정밀한 파워 관리가 가능하도록 설계되었습니다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 시스템 통합 시 유연성을 보장합니다. 핵심 특징과 설계 이점 낮은 RDS(on): 컨덕턴스 손실을 줄여 시스템 효율을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 응답성과 전력 밀도를 향상시킵니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 효과적인 방열로 안정적인 동작 범위를 제공합니다. 넓은 동작 범위:…
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IRFR420APBF Vishay Siliconix
개요 Vishay Siliconix IRFR420APBF는 단일형 MOSFET으로 설계된 고성능 트랜지스터로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열악한 전기 및 열 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay Siliconix의 첨단 실리콘 공정 기술로 제조된 이 소자는 효율적인 파워 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 현대의 전력 및 신호 제어 설계에 폭넓은 설계 여유를 부여합니다. 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 높이고, 현대 전원 시스템의 고밀도 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특성 및 패키지 저 RDS(on)로 인한 전도 손실 감소: 전력 효율을 높이고 열 관리 부담을 줄여 시스템 전체의 열 예측성을 개선합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도와 시스템 장치의 전반적인 성능을 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 고온에서도 일정한 동작 특성을 유지합니다. 광범위한 작동 범위: 고전압 및 고온 환경에서의 안정적인 작동을 지원합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로…
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IRFS11N50APBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFS11N50APBF — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix가 만든 IRFS11N50APBF는 단일(N-채널) MOSFET으로, 고전력 변환에서의 conduction 손실을 낮추고 빠른 스위칭 특성을 제공하도록 설계된 고성능 소자입니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제작되어 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 요구하는 다양한 운용 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. 또한 넓은 동작 전압 및 온도 범위를 지원하면서, 고효율과 우수한 열성능의 균형을 달성합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등의 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 설계 유연성을 크게 향상시킵니다. 품질 및 규정 준수 측면에서는 JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH를 충족하는 신뢰성 높은 부품으로 자리매김하고 있습니다. 적용 사례 및 설계 이점 IRFS11N50APBF는 전력 관리와 신호 제어가 필요한 다양한 시스템에 적합합니다. DC-DC 컨버터와 로드 스위치, 파워 모듈에서의 효율 극대화를 위해 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성을 활용합니다. 자동차 전자 분야에서는 바디 전장 시스템, 인포테인먼트, 조명…
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