Vishay Siliconix

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IRFR224TRPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFR224TRPBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 핵심 특징 IRFR224TRPBF는 단일 고성능 MOSFET으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 변환 효율을 높이고 시스템 전체의 발열을 관리합니다. 저 RDS(on) 설계로 작동 중 컨덕션 손실이 줄어 들고, 고주파에서도 안정적인 스위칭 속도를 제공합니다. 열 저항이 낮고 열 방출이 우수한 구조로 열 안정성을 확보해 고부하 환경에서도 신뢰성 있는 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위를 지원하여 고전압 및 고온 조건에서도 일관된 성능을 발휘하며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지를 제공해 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 편의성을 높였습니다. 품질 및 규정 준수 측면에서 JEDEC 표준, 자동차용 AEC-Q101(일부 자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 충족하는 품질 체계를 갖추고 있어 다양한 산업 환경에 안심하고 적용할 수 있습니다. 응용 분야 및 설계 시나리오 IRFR224TRPBF는 파워 매니지먼트와 신호 제어를 한층 간단하고 효율적으로 만드는 데 적합합니다. DC-DC 컨버터와 로드 스위치 같은…
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SIHB20N50E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHB20N50E-GE3는 고신뢰성 전력용 MOSFET으로, 단일 소자에서 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 속도, 그리고 까다로운 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay Siliconix의 선도적인 파워 MOSFET 설계와 최신 실리콘 공정 기술이 결합되어, 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 광범위한 작동 시나리오에 걸쳐 지원합니다. 또한 다양한 산업 표준 패키지 옵션으로 설계 유연성을 높여, 현대의 파워 및 신호 제어 회로에 쉽게 적합합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 전도 손실을 낮춰 시스템 효율을 높이고 발열을 최소화합니다. Fast Switching Performance: 고주파 응용에서도 스위칭 손실을 줄이고 응답 속도를 빠르게 유지합니다. Thermal Stability: 낮은 열 저항과 우수한 열 방산으로 고부하 조건에서도 안정적 동작을 보장합니다. Wide Operating Range: 전압 및 온도 범위 확대로 다양한 환경에서 신뢰성 있는 동작을 제공합니다. Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 PCB 레이아웃과 기계적 설계의 융통성을 제공합니다. Quality
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SIR606BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR606BDP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET으로서의 단일 패키지 제어 솔루션 Vishay Siliconix의 SIR606BDP-T1-RE3는 고성능 트랜지스터-FET, MOSFET를 단일 패키지로 제공하는 제품으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열 환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로서, 전력 효율성과 열 관리, 장기 신뢰성에 초점을 맞추어 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. SIR606BDP-T1-RE3는 이러한 강점을 바탕으로 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 가능하게 합니다. 개요 및 주요 특징 Low RDS(on)로 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 향상합니다. 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에서 우수한 동작 특성을 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 탁월한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 신뢰성 유지. 광범위한 작동 전압 및 온도 범위로 다양한 설계 환경에 대응합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 PCB 레이아웃과 설계 호환성이 뛰어납니다. 품질 및…
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SIHP38N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHP38N60E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단품, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중하는 유명 브랜드로, 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 강점을 지닌 제품으로 널리 인정받고 있다. SIHP38N60E-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 동시에 제공해, 까다로운 전력 변환 및 신호 제어 응용에 적합하게 설계되었다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대 파워/신호 설계에서 PCB 레이아웃의 융통성을 극대화한다. 주요 특징 저 RDS(on)로 도통 손실 감소: 높은 효율의 전력 전송과 모듈화된 구동 구성을 가능하게 한다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 제어 정밀도와 응답 속도를 강화한다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고온에서도 안정적인 동작을 제공한다. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 폭이 넓어 다양한 환경에서 설계 여유를 확보한다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 일반적으로 사용되는 패키지로 구성, 설계 및 조립의 선택…
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SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQM90142E_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 싱글로 효율적 파워 및 신호 제어를 실현 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 제품으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 시장에서 널리 사용되고 있다. SQM90142E_GE3는 이러한 기술적 강점을 바탕으로 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 열적 스트레스 하에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 고성능 싱글 MOSFET이다. Vishay의 최신 실리콘 공정으로 제조되어 다양한 작동 조건에서 전력 변환의 효율과 정밀한 파워 제어를 가능하게 한다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 손쉬운 통합을 지원한다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 컨덕션 손실 감소로 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 특성 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 확장에 대응하는 폭넓은…
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SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7143DP-T1-GE3: 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자의 탁월한 파워 및 신호 제어 개요 및 특징 Vishay Siliconix SI7143DP-T1-GE3는 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성으로 효율적인 전력 변환을 실현하는 단일 MOSFET 소자입니다. 이 부품은 Vishay의 최첨단 실리콘 공정으로 제조되어 폭넓은 작동 전압 및 온도 범위에서도 안정적으로 동작합니다. 또한 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성과 PCB 레이아웃 단순화를 지원합니다. 주요 특징으로는 낮은 RDS(on)으로 컨덕션 손실을 줄이고, 고주파 애플리케이션에 맞춘 빠른 스위칭, 낮은 열저항으로 향상된 열 방출 성능이 있습니다. 폭넓은 운용 가능 범위와 패키지 다양성은 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 적합한 유연성을 제공합니다. JEDEC, AEC-Q101(오토모티브 등급 모델), RoHS, REACH 준수도 이 소자의 신뢰도와 품질을 뒷받침합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되므로 부품 간 상호 호환성도 용이합니다. 적용 분야 및 설계 이점 SI7143DP-T1-GE3는 여러 영역에서 효율성과 신뢰성을 동시에 요구하는 애플리케이션에 적합합니다. 전력 관리: DC-DC…
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SIUD403ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIUD403ED-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 개요 및 기술 특징 SIUD403ED-T1-GE3는 고성능 트랜지스터로서 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 최소화하고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서의 효율을 극대화합니다. 이 소자는 어려운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 단일 MOSFET으로, 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 필요로 하는 다양한 시나리오에 최적화되어 있습니다. 실리콘 공정을 바탕으로 한 최신 제조 공정 덕분에 고효율의 전력 관리와 열 성능이 결합되어, DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에서 신뢰성 있는 구동을 가능하게 합니다. 또한 광범위한 작동 전압과 온도 조건에서도 일관된 성능을 유지하도록 설계되어, 복잡한 시스템의 전력 관리 설계에 유연성을 제공합니다. 적용 분야, 패키지 옵션 및 품질 표준 적용 시나리오 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 자동차 전자: 바디 전자장치, 인포테인먼트, 조명, EV 서브시스템 산업 시스템: 모터 드라이브, 파워 서플라이, 자동화 제어…
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IRFR9110TRPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFR9110TRPBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자 for 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 디스크리트 반도체 솔루션으로 잘 알려진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. IRFR9110TRPBF는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계된 단일 트랜지스터로, 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 컨트롤을 필요로 하는 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 전반의 효율 향상 빠른 스위칭 특성: 고주파 애플리케이션에 최적화된 응답 속도 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 발열 관리로 고온에서도 안정성 확보 광범위한 작동 범위: 폭넓은 전압 및 온도 조건에서의 신뢰로운 동작 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃 지원 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 규격 준수 적용 분야 및 설계 유연성 IRFR9110TRPBF는 전력…
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SI7174DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Si7174DP-T1-GE3는 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET 계열의 단일 소자 솔루션으로, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위해 설계되었습니다. Vishay Siliconix 브랜드의 최신 실리콘 공정으로 개발되어, 넓은 작동 전압과 온도 범위에서도 낮은 conduction 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 다양한 산업용 패키지로 제공되어 현대 파워/신호 제어 설계에 유연성을 더합니다. 개요 및 핵심 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 고효율 파워 모듈과 DC-DC 컨버터의 실리콘 손실을 최소화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 모듈의 응답 속도와 제어 정밀도를 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열 저항성과 뛰어난 방열 성능으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위를 확장한 설계로 다양한 설계 시나리오를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 설계 프로세스에 편의성을 제공합니다. 품질 및 준수: JEDEC 규격, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하는 품질 인증으로 신뢰도를 확보합니다. 적용 분야 및 설계…
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SI2347DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2347DS-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 강점을 둔 반도체 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 애플리케이션에 널리 사용되는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 이 회사는 고급 실리콘 프로세스를 통해 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하는 제품을 제공합니다. Vishay Siliconix의 SI2347DS-T1-GE3는 높은 효율성을 제공하는 단일 MOSFET으로, 고주파 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 성능과 안정적인 동작을 자랑합니다. SI2347DS-T1-GE3의 주요 특징 저 RDS(on): 낮은 전도 손실로 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 스위칭 속도 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 분산 성능 광범위한 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지 제공 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH…
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