Vishay Siliconix

Vishay Siliconix SQS423ENW-T1_GE3 — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적 전력·신호 제어 실현 제품 개요 Vishay Intertechnology 산하의 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 전력용 반도체로 널리 알려진 브랜드입니다. SQS423ENW-T1_GE3는 단일 채널 FET로 설계된 고성능 트랜지스터로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭, 까다로운 열·전기 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 제조되었습니다. 첨단 실리콘 공정과 품질 관리로 전력 변환 및 정밀 전력 제어가 요구되는 애플리케이션에 적합하도록 최적화되어 있습니다. 주요 특징 및 설계 이점 낮은 RDS(on): 도통 시 손실을 최소화해 전체 시스템 효율을 끌어올립니다. 전력 손실 절감은 열 관리 부담 완화와 배터리 구동 기기에서의 사용 시간 연장으로 이어집니다. 고속 스위칭 성능: 스위칭 손실을 줄이고 고주파 동작에서 성능을 유지하도록 설계되어 DC-DC 컨버터나 스위칭 전원 회로에 적합합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 열 방출 특성으로 과열 리스크를 낮추고 장시간 고부하 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위에서의 동작을 지원해 다양한 산업 환경에 대응할 수…

Vishay Siliconix SIA444DJT-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 제공하는 선도적인 반도체 브랜드입니다. Vishay Intertechnology의 자회사로, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 애플리케이션 등 다양한 분야에서 널리 사용되는 제품을 선보이고 있습니다. SIA444DJT-T1-GE3 특징 Vishay Siliconix의 SIA444DJT-T1-GE3는 단일 MOSFET으로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 높은 열 안정성을 제공하여 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 장치는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어, 전기적 및 열적 요구 사항을 충족하는 안정적인 작동을 보장합니다. SIA444DJT-T1-GE3는 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 제공하며, 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 이 장치는 전력 관리, 자동차 전자, 산업 시스템, 소비자 전자, 컴퓨팅 및 네트워킹, 재생 가능 에너지 시스템 등 다양한 애플리케이션에서 광범위하게…

Vishay Siliconix SUM47N10-24L-E3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET)로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 고성능 반도체 브랜드로, 전력 효율성, 열 특성, 장기 신뢰성에 중점을 둔 MOSFET과 전력 IC, 이산 반도체를 제공한다. SUM47N10-24L-E3는 이러한 엔지니어링 철학이 반영된 고성능 단일 MOSFET으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭, 열적 안정성을 요구하는 설계에 적합하다. 고급 실리콘 공정으로 제조되어 다양한 전압·온도 조건에서도 안정적인 동작을 보이며, 여러 표준 패키지로 제공되어 PCB 통합이 용이하다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 온저항은 전도 손실을 줄여 전력 효율을 향상시키고 시스템 발열을 감소시킨다. 고효율 전원 변환기나 로드 스위치 설계에서 직접적인 이점을 제공한다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 동작에 최적화된 특성으로, 스위칭 손실을 최소화하고 고속 전력 변환 및 PWM 제어에서 우수한 응답성을 보인다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 열 스트레스를 받는 환경에서도 신뢰성 있는 동작을 유지한다. 고온 동작 범위를 요구하는 자동차·산업용 애플리케이션에 유리하다. 광범위한 동작 범위:…

Vishay Siliconix SI7856ADP-T1-E3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 개발된 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SI7856ADP-T1-E3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열 및 전기적 조건 하에서도 안정적인 동작을 제공하는 고성능 트랜지스터(FETs, MOSFETs - Single)입니다. 이 제품은 Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 사용하여 설계되어, 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 분산 성능 광범위한 작동 범위:…

Vishay Siliconix VP0808B — 고신뢰성 트랜지스터, FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어용 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix VP0808B는 전도 손실이 적고 빠른 스위칭 특성, 고온 및 전기적 조건에서도 안정적인 동작을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 소자는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하여 다양한 운영 환경에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 이 소자는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어, PCB 레이아웃이 유연하고 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율성을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화되어 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열…

Vishay Siliconix IRFR9120TR — 고신뢰성 트랜지스터(MOSFET)로 구현하는 효율적 전력·신호 제어 제품 개요 Vishay Intertechnology 산하의 고성능 반도체 브랜드인 Vishay Siliconix는 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성을 중점으로 한 MOSFET과 전력 IC를 제공해 왔습니다. IRFR9120TR은 이러한 설계 철학을 바탕으로 개발된 싱글 채널 MOSFET으로, 낮은 도통 저항(RDS(on)), 빠른 스위칭 특성, 가혹한 전기·열 환경에서의 안정적 동작을 결합해 다양한 전력 변환 및 신호 제어 설계에 적합합니다. 최신 실리콘 공정을 활용해 전력 손실을 최소화하고, 고주파 응용에서도 우수한 성능을 발휘하도록 최적화되어 있습니다. 핵심 특징 및 적용 분야 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 효율을 개선하고 발열을 억제합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 전력 변환 및 스위칭 전원 공급 장치에 적합합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강건한 방열 특성으로 열 스트레스 상황에서도 신뢰성 있는 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위에서 작동하도록 설계되어 다양한 환경에 대응합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK,…

Vishay Siliconix SI7457DP-T1-GE3 — 고신뢰성 MOSFET으로 설계 효율과 안정성 향상 Vishay Siliconix는 전력 반도체 분야에서 오랜 신뢰를 쌓아온 브랜드로, SI7457DP-T1-GE3는 그 중에서도 전력 손실 최소화와 빠른 스위칭 특성에 초점을 맞춘 단일 MOSFET 제품입니다. 첨단 실리콘 공정과 엄격한 품질 관리로 제작되어 자동차, 산업용, 소비자 전자기기 등 다양한 환경에서 일관된 성능을 제공합니다. 이 제품은 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 고주파 스위칭이 요구되는 회로에서도 효율을 유지하도록 최적화되어 있습니다. 제품 개요와 핵심 성능 SI7457DP-T1-GE3는 낮은 온저항(RDS(on))과 우수한 게이트 전하 특성을 가진 N채널 MOSFET으로, 전력 변환 효율 개선과 발열 저감이 필요한 설계에 적합합니다. 빠른 스위칭 응답은 DC-DC 컨버터, 스위칭 레귤레이터 등 고주파 환경에서 스위칭 손실을 줄여줍니다. 또한 열저항이 낮고 열 분산 특성이 뛰어나서 장시간 고부하 운전 시에도 안정적으로 동작합니다. 표준화된 TO, DPAK, PowerPAK, SO 계열 패키지 등 다양한 폼팩터로 제공되어 PCB 레이아웃 제약을 줄이고 설계 유연성을 확보할 수 있습니다. 품질…

Vishay Siliconix SI7462DP-T1-E3 — 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 MOSFET 제품 개요 Vishay Siliconix의 SI7462DP-T1-E3는 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 결합한 단일 채널 MOSFET입니다. Vishay Intertechnology 산하의 Siliconix 브랜드가 추구해온 고성능 전력반도체 설계 철학을 반영하여 전력 변환과 신호 제어에서 높은 효율과 안정적인 열특성을 제공합니다. 반도체 공정 최적화로 저온 상승과 일정한 동작을 보장하며, 자동화된 산업부터 자동차·소비자 전자기기까지 다양한 시스템에 적용할 수 있도록 설계되었습니다. 핵심 특징 및 설계 이점 낮은 RDS(on): 도통 저항이 낮아 전력 손실을 줄이며 시스템 효율을 개선합니다. 특히 고전류 경로에서 열발생을 낮추어 전력 밀도 향상에 유리합니다. 고속 스위칭 성능: 게이트 구동 최적화로 스위칭 손실을 줄이며 고주파 전력 변환 회로에 적합합니다. SMPS, DC-DC 컨버터 등에서 우수한 전환 효율을 기대할 수 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 높은 온도 환경에서도 안정적으로 동작합니다. 장기간 신뢰성이 요구되는 애플리케이션에서 유리합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도…

Vishay Siliconix SI4752DY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자 제품 개요 Vishay Siliconix의 SI4752DY-T1-GE3는 전력 변환과 신호 제어에서 높은 효율과 안정성을 제공하도록 설계된 단일 채널 MOSFET입니다. Vishay Siliconix는 전력 반도체 분야에서 오랜 신뢰성을 쌓아온 브랜드로, 이 제품군은 낮은 도통 저항(RDS(on)), 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 안정성을 균형 있게 갖추고 있어 자동차·산업·소비자 전자 등 다양한 분야에서 채택됩니다. SI4752DY-T1-GE3는 최신 실리콘 공정으로 제작되어 전력 손실을 줄이고 열관리 부담을 경감하며, 복잡한 전원 네트워크에서 예측 가능한 동작을 제공합니다. 주요 특징 및 설계 이점 낮은 RDS(on): 낮은 도통 저항은 스위칭 손실과 도통 손실을 감소시켜 전체 시스템 효율을 향상시킵니다. 이는 배터리 기반 장치나 고효율 전원 모듈에서 직접적인 이익으로 연결됩니다. 빠른 스위칭 성능: 스위칭 손실을 최소화하도록 최적화된 특성으로 고주파 DC-DC 컨버터나 슬로프가 빠른 스위칭 토폴로지에 적합합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 안정적인 동작이 가능하며, 높은 신뢰성이 요구되는 애플리케이션에서 유리합니다.…

Vishay Siliconix IRFU9214 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 글로벌 기업입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 강력한 초점을 맞춘 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨터 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 IRFU9214는 고성능 트랜지스터로, 전도 손실이 적고 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 MOSFET입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 제작된 이 제품은 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운영 시나리오에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 감소하여 높은 효율을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항 및 뛰어난 열 방출 성능을 자랑합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 유연성:…