SI2315BDS-T1-GE3: 고신뢰성 MOSFET로 전력 효율과 제어 신뢰성을 한 자리에 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 관리 및 장기 신뢰성에 중점을 둔 설계로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택됩니다. 그 선두주자인 SI2315BDS-T1-GE3는 단일 FET 구조로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하며 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 적용해 전력 변환과 정밀 제어가 필요한 다양한 운용 시나리오에 유연하게 대응합니다. 소제목 1: SI2315BDS-T1-GE3의 핵심 특징 저 RDS(on)로 도전 손실 감소: 전력 효율을 높이고 발열을 억제하는 주요 지표로 작동 영역에서 일관된 성능을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 속도와 응답성을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 성능으로 고온 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 시스템 수준의 설계 유연성을 제공합니다. 패키지 다양성: TO,…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix
해당 카테고리에 2000개의 글이 있습니다.
Vishay Siliconix SIHG80N60E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적인 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 개별 반도체 솔루션을 전문적으로 제공합니다. 특히 전력 효율, 열 특성, 장기 신뢰성에 대한 철저한 연구와 기술력으로 자동차, 산업, 소비자 전자기기, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIHG80N60E-GE3는 Vishay Siliconix의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 설계된 고성능 단일 MOSFET입니다. 이 트랜지스터는 낮은 도통 저항(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 전력 변환과 제어 효율을 극대화하며 다양한 작동 시나리오에서 정확한 전력 제어를 가능하게 합니다. 또한, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계 유연성과 통합 편의성을 높였습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실 최소화로 전력 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야 최적화 열적 안정성: 낮은 열저항과 강력한 열 방출 특성 광범위 작동 범위: 확장된 전압…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SI3430DV-T1-E3는 단일 고신뢰성 MOSFET로서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay Siliconix는 전력 효율과 열 성능, 신뢰성에 집중하는 반도체 브랜드로서 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SI3430DV-T1-E3는 정교한 실리콘 공정 기술로 구동되며, 다양한 작동 시나리오에서 효율적 전력 변환과 정확한 전력 제어를 가능하게 합니다. 또한 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계의 유연성과 시스템 인테그레이션의 용이성을 높입니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 최소화: 전력 손실을 줄이고 시스템 효율을 높이는 주요 요인입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서 우수한 응답성과 전력 제어의 정확성을 제공합니다. 열 안정성: 저열 저항과 우수한 방열 특성으로 고열 환경에서도 지속적인 성능을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 환경에서 안정적인 동작을 보장합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 기존 보드 레이아웃에 쉽게 통합됩니다. 품질 및 규격…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SIR882BDP-T1-RE3 – 고효율 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. SIR882BDP-T1-RE3는 Vishay Siliconix의 고성능 트랜지스터로, 전력 변환 및 정밀한 전력 제어가 필요한 다양한 분야에서 뛰어난 성능을 제공합니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제작되었으며, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 안정적인 동작을 보장합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방산 성능을 제공합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 산업 표준 패키지로 제공됩니다. 품질 및 규정…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SI4401BDY-T1-E3: 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현하다 주요 특징 Vishay Siliconix의 SI4401BDY-T1-E3는 단일 채널의 high-performance MOSFET으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 다방면의 전력 변환 및 신호 제어에 최적화되어 있습니다. 이 소자는 구동 손실을 줄이고 시스템 효율을 높이는 저 RDS(on) 특성을 강조하며, 고주파 응용에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. 열 특성 면에서도 뛰어난 안정성을 제공해 열 저항이 낮고, 열 방출이 원활한 구조를 갖춰 고온 환경에서도 신뢰성 있는 동작을 유지합니다. 작동 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 전력 포지션과 환경에서 일관된 성능을 기대할 수 있습니다. 패키지 측면에서는 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 산업 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 확보합니다. 품질 및 규정 준수 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH와 같은 국제적 표준을 충족함으로써 자동차, 산업 및 소비자 전자 분야의 요구를 충족합니다. 적용 분야 파워 매니지먼트: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SIS444DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자로 효율적인 전력 및 신호 제어를 구현하다 고신뢰성 특성 및 성능 SIS444DN-T1-GE3는 단일 MOSFET 트랜지스터로, 낮은 RDS(on)으로 작동하여 도통 손실을 줄이고 시스템 전력 효율을 높인다. 이 소자는 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 고주파 응용에서의 전환 손실을 최소화하며, 정밀한 제어가 필요한 전력 모듈과 신호 경로에서 신뢰도 높은 성능을 제공한다. 열 관리 측면에서도 견고한 열 저항과 열 방출 특성을 갖춰 한정된 공간에서의 발열을 효과적으로 분산시키고, 고온 환경에서도 안정적인 동작을 유지한다. 또한 넓은 작동 범위를 지원해 다양한 전압과 온도 조건에서 예측 가능한 성능을 보장한다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조된 이 소자는 전력 변환과 신호 제어 시나리오에서 일관된 전력 품질과 신호 무결성을 제공합니다. 패키지 옵션 및 설계 유연성 SIS444DN-T1-GE3은 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 설계 레이아웃의 유연성을 극대화한다. 다양한 패키지 형식은 PCB 레이아웃이나 모듈화된 전력 설계에서 공간…
더 읽어보기 →
IRFI530GPBF is Vishay Siliconix의 고신뢰성 MOSFET으로, 단일 소자로 전력 및 신호 제어를 효율적으로 수행합니다. 고전압 환경과 까다로운 열 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 이 소자는 낮은 conduction 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공해 전력 변환 효율을 높이고 시스템 크기를 줄여 줍니다. Vishay Siliconix의 최신 실리콘 공정을 기반으로 만들어진 IRFI530GPBF는 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 광범위하게 활용됩니다. 주요 특징과 성능 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 적합한 전환 속도 열적 안정성: 낮은 열저항 및 강력한 방열 성능 넓은 동작 범위: 고전압 및 고온 환경에서도 안정적인 동작 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃에 대응 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차용), RoHS, REACH를 충족하는 신뢰성 있는 부품 적용 시나리오와 이점 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서 효율적인 전력 제어 실현 자동차 전자: 바디 전자장치,…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SUP85N10-10-E3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강점을 둔 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 반도체 브랜드입니다. Vishay Intertechnology의 자회사로서, 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SUP85N10-10-E3는 저전도 손실, 빠른 스위칭 동작 및 높은 전기적, 열적 안정성을 제공하는 고성능 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 소자로 설계되었습니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 제작된 이 제품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하여 다양한 운영 시나리오에서 안정적으로 작동합니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항 및 강력한 열 방출 광범위한 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지 제공…
더 읽어보기 →
SIHLU024-GE3: 고신뢰성 MOSFET으로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 제품 개요 Vishay Siliconix의 SIHLU024-GE3은 고성능 단일 트랜지스터-FET, MOSFET으로 설계되어 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 제조 공정을 바탕으로 다양한 동작 조건에서 안정적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 극한의 전기적·열적 환경에서도 견고하게 작동하도록 최적화되어 있습니다. 여러 표준 포장 옵션(T0, DPAK, PowerPAK, SO 등)을 지원해 회로 설계에서 PCB 레이아웃의 융통성을 크게 높이며, 현대 파워 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 또한 JEDEC 규격, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS 및 REACH와 같은 품질 및 규정 준수를 충족해 다양한 산업군에 신뢰성을 제공합니다. 주요 특징과 이점 SIHLU024-GE3의 핵심 특성은 다음과 같습니다. 먼저 낮은 RDS(on)으로 전도 손실이 줄어 더 높은 시스템 효율을 구현합니다. 빠른 스위칭 성능은 고주파 애플리케이션에서의 응답 속도와 전력 밀도를 향상시키며, 열 저항이 낮은 열적 특성은 고전류/고전압 조건하에서도 견고한 열 관리가…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQJA80EP-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 다양한 산업에 걸쳐 널리 사용되는 제품을 제공합니다. 특히, 전력 관리와 신호 제어 시스템에 필요한 안정적이고 효율적인 솔루션을 제공하는 것으로 잘 알려져 있습니다. Vishay Siliconix의 SQJA80EP-T1_BE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 전기적 및 열적 조건에서의 안정적인 동작을 제공하는 고성능 단일 트랜지스터로, 정밀한 전력 변환과 효율적인 전력 제어를 지원합니다. 이 MOSFET은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어 다양한 응용 분야에서 뛰어난 성능을 발휘하며, 강력한 열 관리 기능을 자랑합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실을 통해 높은 전력 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에서 최적화되어 빠른 스위칭이 가능합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방산 능력으로 높은 온도 환경에서도 안정적으로…
더 읽어보기 →