Vishay Siliconix

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IRF9520STRL Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF9520STRL — 고신뢰성 MOSFET으로 구현하는 효율적 전력 제어 제품 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix IRF9520STRL은 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성을 갖춘 단일 채널 MOSFET으로, 전력 변환과 신호 제어에서 탁월한 성능을 발휘하도록 설계되었습니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 기반으로 제작되어 전도 손실을 최소화하고 열적 안정성을 확보한 것이 특징입니다. 주요 기능으로는 낮은 온저항(RDS(on))으로 인한 효율 개선, 고주파수 운영에 적합한 빠른 스위칭, 그리고 열저항이 낮아 발열 관리를 용이하게 하는 구조가 포함됩니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계 유연성을 높이며, AEC-Q101 차량용 모델과 JEDEC, RoHS, REACH 규정 준수로 신뢰성 요구가 높은 애플리케이션에도 적용 가능합니다. 적용 사례 및 설계 장점 IRF9520STRL은 전력관리(DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈)를 비롯해 자동차 전자장치(차체 전장, 인포테인먼트, 조명, 전기차 하위시스템), 산업용 시스템(모터 드라이브, 스위칭 전원, 자동화 컨트롤러), 소비자가전(노트북 어댑터, 휴대용 기기 전원), 컴퓨팅 및 네트워킹(서버 VRM,…
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IRLZ24STRL Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRLZ24STRL — 고신뢰성 트랜지스터 및 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 설계된 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix IRLZ24STRL은 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열적 안정성을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정으로 설계된 이 MOSFET은 전자 및 열 조건이 까다로운 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 제작되었습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 인해 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용 분야에 최적화된 스위칭 성능 열 안정성: 낮은 열 저항 및 강력한 열 방출 성능 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원 패키지 유연성:…
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IRLD024 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRLD024 — 고신뢰성 전력·신호 제어용 MOSFET 제품 개요 Vishay Intertechnology의 전력 반도체 브랜드인 Vishay Siliconix가 선보이는 IRLD024는 단일 채널 MOSFET으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성을 동시에 제공하도록 설계됐다. 고급 실리콘 공정을 적용해 열적 안정성과 전기적 성능을 균형 있게 확보했으며, 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계 유연성을 높인다. 자동차용 AEC-Q101 등급 모델부터 일반 산업용 모델까지 라인업이 구성되어 있어 설계자가 애플리케이션 요구사항에 맞춰 선택하기 쉬운 제품이다. 주요 특징 및 설계 장점 저 RDS(on): 낮은 온저항은 전력 손실을 줄여 컨버터 및 스위칭 회로의 효율을 개선한다. 배터리 구동 장치나 전력 밀도가 중요한 설계에서 특히 유리하다. 고속 스위칭 성능: 게이트 구조와 내부 기생 요소 최적화로 고주파 응용에 적합하며, 스위칭 손실을 최소화해 열 관리를 단순화한다. 우수한 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고온 환경에서도 안정적인 동작을 유지한다. 이는 연속 부하나 파워 사이클이 많은 시스템에서 수명과 신뢰성…
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IRF737LCSTRL Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF737LCSTRL — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Intertechnology의 브랜드인 Vishay Siliconix는 전력 반도체 분야에서 오랜 신뢰를 쌓아온 이름이다. IRF737LCSTRL은 그 계열에서 설계된 고성능 싱글 MOSFET으로서 낮은 온저항(RDS(on)), 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 안정성을 바탕으로 다양한 전력 변환과 신호 제어 설계에 적합하다. 소자의 공정과 패키지 선택이 설계 자유도를 넓혀 현대 전자 제품의 요구사항을 충족한다. 주요 특징 저온저항(RDS(on)): 전도 손실을 줄여 효율 개선과 발열 감소에 기여한다. 전력 손실이 적을수록 전체 시스템의 냉각 요구가 완화된다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 전력 변환이나 신호 스위칭에서 손실을 최소화하도록 최적화되어 있다. 스위칭 손실과 과도 전압 관리를 고려한 설계가 가능하다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 열 확산 특성으로 높은 전류 환경에서도 안정적으로 동작한다. 패키지와 PCB 레이아웃의 열 설계를 통해 더 높은 신뢰성을 확보할 수 있다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위에서 안정적인 특성을 유지해 자동차 및 산업용…
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IRFR024 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFR024 — 고신뢰성 MOSFET으로 구현하는 효율적 전력·신호 제어 제품 소개 Vishay Intertechnology의 대표 브랜드 중 하나인 Vishay Siliconix가 제공하는 IRFR024는 단일 채널 MOSFET으로, 낮은 도통저항(RDS(on)), 빠른 스위칭 특성, 그리고 견고한 열적 성능을 결합한 고성능 트랜지스터입니다. 고급 실리콘 공정으로 설계되어 전력 변환과 정밀한 전력 제어가 요구되는 환경에서 안정적으로 동작하며, 자동차·산업·소비자·컴퓨팅 등 다양한 분야의 설계 요구를 충족합니다. 표준화된 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 패키지 제공으로 PCB 설계 유연성이 뛰어납니다. 주요 특징 및 장점 저 RDS(on): 낮은 도통저항은 스위칭 장치의 전력 손실을 줄여 시스템 효율을 높입니다. 배터리 구동 기기나 전력 모듈에서 열 발생을 줄여 전체 시스템 신뢰성을 향상시킵니다. 고속 스위칭 성능: 게이트·드레인 특성을 최적화하여 고주파 응용에서 스위칭 손실을 최소화하고 전원 변환 효율을 향상시킵니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 강력한 열 분산 특성으로 높은 전류와 온도 환경에서도 안정적으로 동작하며 장기 신뢰성을 제공합니다. 넓은 동작 범위: 전압·온도 허용…
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SUM40N10-30-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SUM40N10-30-E3 — 고신뢰성 MOSFET로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 검증된 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 전력 IC, 이산 소자를 중심으로 전력 효율성과 열 설계, 장기 신뢰성에 집중해 왔습니다. SUM40N10-30-E3는 이러한 기술적 전통을 반영한 고성능 단일 FET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭, 가혹한 전기·열 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 다양한 산업용·자동차용 설계에서 전력 변환과 정밀 제어 요구를 충족시키도록 설계되어 PCB 통합과 레이아웃 면에서 유연성을 제공합니다. 주요 특징: 효율과 안정성의 균형 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 전체 시스템 효율을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 동작에 최적화되어 스위칭 손실을 최소화합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 열 스트레스가 큰 환경에서도 성능을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 커버해 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지로 제공되어 설계 선택의 폭이 넓습니다. 품질 및 규격…
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SI3493DV-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI3493DV-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 집중하는 이 브랜드는 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 응용 프로그램에서 널리 사용됩니다. Vishay Siliconix의 SI3493DV-T1-E3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기 및 열 조건에서 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 고성능 트랜지스터 MOSFET 단일 소자입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 사용하여 설계되었으며, 다양한 동작 조건에서 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 이 부품은 여러 산업 표준 패키지로 제공되어, 유연한 PCB 레이아웃과 최신 전력 및 신호 제어 설계에 손쉬운 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 효율성이 높습니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 방출 성능을…
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IRFZ34STRL Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFZ34STRL — 고신뢰성 MOSFET으로 전력과 신호를 효율적으로 제어하기 Vishay Siliconix 브랜드는 Vishay Intertechnology 산하에서 오랜 기간 고성능 MOSFET과 전력용 반도체 솔루션을 제공해 왔습니다. IRFZ34STRL은 저전도 손실과 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적·전기적 스트레스에 강한 설계를 결합한 단일 채널 MOSFET으로, 자동차·산업·소비자 전자 및 컴퓨팅 분야의 까다로운 전력 변환 요구를 충족하도록 개발되었습니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계 유연성이 높고, 복잡한 전력 시스템에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특성 낮은 RDS(on): 도통 손실을 최소화해 효율을 향상시키며 발열을 줄입니다. 이는 배터리 구동 기기나 고효율 전원 회로에서 직접적인 이득으로 이어집니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 스위칭 손실을 낮추고 전력 변환 효율을 극대화하도록 최적화되어 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 열 확산 특성으로 고온 환경에서도 안정적으로 동작합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 영역에서 설계를 지원해 다양한 시스템 요구에 대응합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준…
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SUM90N08-6M2P-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SUM90N08-6M2P-E3 — 고신뢰성 MOSFET로 구현하는 효율적인 전력 제어 제품 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix의 SUM90N08-6M2P-E3는 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭을 목표로 설계된 단일 MOSFET 소자입니다. 고급 실리콘 공정과 최적화된 셀 구조를 바탕으로 전력 변환 효율을 개선하고 열 스트레스에 강한 동작을 제공합니다. 주요 특징은 다음과 같습니다. 낮은 RDS(on): 도통 손실 감소로 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 적합한 전이 특성 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성 동작 범위 확장: 넓은 전압 및 온도 범위에서 안정 동작 패키지 옵션 다양화: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지 제공 품질 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH 호환 기술적 이점과 설계 관점 SUM90N08-6M2P-E3는 설계자가 시스템 효율과 신뢰성을 동시에 끌어올릴 수 있도록 여러 기술적 장점을 제공합니다. 낮은 RDS(on)은 전력 손실을 직접적으로 줄여 방열 요구사항을 완화시키며, 스위칭 로스가 최적화되어 PWM 기반의 DC-DC 컨버터나 동기정류…
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IRL630 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRL630 — 고신뢰성 트랜지스터로 전력과 신호 제어의 새 기준 제품 개요 Vishay Intertechnology의 전문 브랜드인 Vishay Siliconix는 전력용 MOSFET과 고성능 아날로그·디스크리트 소자를 오랜 기간 개발해 온 이름이다. IRL630은 그 설계 철학을 반영한 싱글 N-채널 MOSFET으로, 낮은 온저항(RDS(on)), 빠른 스위칭, 그리고 까다로운 온·전기적 환경에서도 안정된 동작을 목표로 제조된다. 첨단 실리콘 공정과 검증된 설계 기법을 결합해 전력 변환과 정밀 전력 제어가 필요한 시스템에 적합한 선택지를 제공한다. 주요 특징 및 기술적 이점 낮은 RDS(on): 도통 손실을 최소화하여 효율을 높이고 발열을 줄인다. 전력손실 감소는 열설계 여유를 확보하고 전체 시스템 효율을 끌어올리는 직접적인 요인이다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 스위칭 손실을 줄이도록 최적화되어 DC-DC 컨버터, 모터 드라이브 등에서 높은 전력 밀도를 구현할 수 있다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 효율적인 열방출 특성으로 과열 위험을 낮추며 장시간 운용 시 신뢰성을 보장한다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위에서 안정적으로 동작하도록 설계되어…
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