Vishay Siliconix SIJH800E-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자: 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 특징과 설계 강점 Vishay Siliconix의 SIJH800E-T1-GE3는 고성능의 단일 FET/MOSFET으로, 고전력 시스템에서의 전력 변환과 신호 제어를 안정적으로 수행하도록 설계되었다. 낮은 RDS(on)를 통해 도통 손실이 줄어들고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용 분야에서 효율이 향상된다. 열 특성 측면에서도 열저항이 낮고 방열이 뛰어나 열 관리가 용이하며, 넓은 작동 온도와 전압 범위를 제공해 열 악조건에서도 안정적으로 동작한다. 패키지 측면은 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지로 구성되어 있어 설계와 PCB 레이아웃의 유연성이 크게 증가한다. 품질과 규격 측면에서는 JEDEC 표준, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 충족하여 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야의 엄격한 신뢰성 요구를 만족한다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 설계되어 전력 변환 효율과 신호 제어의 정밀성을 동시에 달성한다. 적용 시나리오와 이점 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서 효율 향상과…
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SIR586DP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 핵심 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로서, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 축적된 노하우를 바탕으로 전력 효율성, 열 성능, 신뢰성에 중점을 둔 제품을 제공합니다. 자동화, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되는 이 브랜드는 특히 전력 변환의 효율 향상과 열 관리의 안정성에서 강점을 보유하고 있습니다. SIR586DP-T1-RE3는 단일 MOSFET 소자로서 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하며, 까다로운 전기적/열적 조건에서도 안정적인 작동을 보장하도록 설계되었습니다. 이 기기는 Vishay의 진보한 실리콘 공정을 활용해 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 제어를 가능하게 합니다. PCB 레이아웃의 유연성을 높여주는 다수의 표준 패키지로 제공되며, 현대 파워 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 특징과 성능 저 RDS(on)으로 도통 손실 감소: 더 높은 변환 효율과 더 낮은 발열을 달성합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 동작을 지원합니다.…
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Vishay Siliconix SUM80090E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FETs, MOSFETs) 단일 제품으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일환으로 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 대한 강력한 집중으로 유명한 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SUM80090E-GE3 소개 Vishay Siliconix SUM80090E-GE3는 고성능 단일 트랜지스터(FETs, MOSFETs)로 설계되어, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 기반으로 설계되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 이 장치는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 전력 및 신호 제어 설계에서 유연한 PCB 레이아웃과 간편한 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 더 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용을 위한 최적화 열…
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Vishay Siliconix SQM120N06-3M5L_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 잘 알려진 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 등 다양한 분야의 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성을 중시하는 설계에 강점이 있습니다. SQM120N06-3M5L_GE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 충전 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열 환경에서도 안정적으로 동작하도록 설계된 고성능 트랜지스터- MOSFET로, 전력 변환과 정밀한 전력 제어에 최적화되어 있습니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 보드 설계의 융통성과 구현 편의성을 높이며, 폭넓은 운용 조건에서 일관된 성능을 제공합니다. 특징 및 성능 SQM120N06-3M5L_GE3는 전력 효율과 신호 제어의 균형을 중시하는 설계 철학을 반영합니다. 주요 특징으로는 낮은 RDS(on)으로 도통 손실을 줄여 효율성을 높이고, 고주파 응용을 위한 빠른 스위칭 속성을 제공합니다. 또한 열적 안정성이 뛰어나 저열저항 특성과 우수한 방열 성능으로 열 관리가 까다로운 시스템에서도 안정적인 동작이 가능합니다. 넓은 작동 범위를 지원하여 다양한…
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Vishay Siliconix SISH129DN-T1-GE3 – 고신뢰성 트랜지스터, FET, MOSFET 단일형 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일환으로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 분산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 집중한 제품 설계로 유명한 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SISH129DN-T1-GE3 개요 Vishay Siliconix SISH129DN-T1-GE3는 뛰어난 성능을 자랑하는 트랜지스터, FET, MOSFET 단일형으로 설계되었습니다. 이 제품은 낮은 도전 손실과 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 전기적 및 열적 요구 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 또한, 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어, 최신 전력 및 신호 제어 시스템 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도전 손실을 최소화하여 효율성을 극대화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 빠른 반응 속도를 제공합니다. 열…
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Vishay Siliconix SIHB12N50C-E3 — 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자 for 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 파워 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 초점을 바탕으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택됩니다. SIHB12N50C-E3는 이러한 배경 속에서 고성능 트랜지스터- FET로 설계되어, 낮은 도통 손실, 빠른 스위칭 속도, 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술로 제조되며, 다양한 작동 환경에서 효율적 전력 변환과 정밀 제어를 지원합니다. 또한 표준 업계 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 현대 파워/신호 제어 설계의 원활한 통합을 가능하게 합니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실을 낮춰 시스템 효율을 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 전환 속도 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성 넓은 동작 범위: 전압 및 온도…
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Vishay Siliconix SQA410EJ-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자: 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 개요 Vishay Siliconix의 SQA410EJ-T1_GE3는 고성능의 단일 트랜지스터 FET/MOSFET로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 작동을 목표로 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 전력 변환 효율을 높이고 신호 제어를 정밀하게 수행하는 데 최적화되어 있습니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 유연성과 손쉬운 통합을 가능하게 합니다. JEDEC, RoHS, REACH 등의 규격 준수는 물론, 자동차용 모델의 AEC-Q101 준수 여부도 선택 가능한 옵션으로 제공됩니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 전도 손실 감소: 높은 시스템 효율성을 실현 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 적합한 전자 스위칭 특성 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 성능 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 조건의 확장된 범위에서 안정적 작동 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계…
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Vishay Siliconix SQS140ENW-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 싱글로 효율적 파워 및 신호 제어 개요 및 브랜드 소개 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 파워 솔리드 스테이트 솔루션 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체를 집중적으로 제공합니다. 전력 효율, 열 성능, 신뢰성 면에서 꾸준한 설계 방향을 유지하며 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택됩니다. SQS140ENW-T1_GE3는 이러한 강점을 바탕으로 빠른 스위칭과 낮은 전도 손실을 구현하는 고응답성 싱글 트랜지스터로 설계되었습니다. Vishay의 진보된 실리콘 프로세스를 이용해 전력 변환과 정밀 제어를 폭넓은 작동 조건에서 안정적으로 수행하도록 고안되었습니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 전력 관리 및 신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 융통성을 확보합니다. 이 부품은 JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH와 같은 품질 규격을 충족시키며, 견고한 열 관리와 장기간 신뢰성을 강조합니다. 주요 특징 및 적용 분야 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 낮춰 시스템 효율을 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 적합한…
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Vishay Siliconix의 SQP120N10-09_GE3은 단일형 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 정밀한 전력 및 신호 제어를 필요로 하는 modern 시스템에서 우수한 성능을 제공합니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 설계되어 낮은 conduction 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 온도 환경에서도 안정적인 작동을 보여줍니다. 다양한 패키지 옵션을 지원해 설계 레이아웃의 유연성을 확보하고, 자동차, 산업, 컴퓨팅 등 여러 분야의 전력 관리 솔루션에 쉽게 통합될 수 있습니다. 특징 및 설계 이점 Low RDS(on)로 인한 전도 손실 감소: 높은 효율의 전력 변환 및 배터리 관리에서 열 방출을 최소화합니다. Fast Switching 성능: 고주파 애플리케이션에서 스위칭 손실을 줄이고 응답 속도를 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 열 해소 능력으로 시스템의 신뢰성을 높입니다. 넓은 동작 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 안정적인 작동이 가능합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 공정에 쉽게 맞춤화할 수 있습니다. 품질 및 컴플라이언스:…
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Vishay Siliconix SIHP25N60EFL-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성을 강조하는 제품들을 제공합니다. Vishay Intertechnology의 하위 브랜드인 Vishay Siliconix는 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있으며, 고효율 전력 전환 및 정밀한 전력 제어를 가능하게 하는 솔루션을 제공합니다. SIHP25N60EFL-BE3의 특장점 Vishay Siliconix의 SIHP25N60EFL-BE3는 전력 및 신호 제어를 위한 단일 MOSFET로 설계되었으며, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열과 전기적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 이 부품은 Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 활용하여 설계되었으며, 넓은 전압 및 온도 범위에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 제어를 지원합니다. 주요 특징으로는 낮은 RDS(on)을 통해 전도 손실을 줄여 더 높은 효율성을 제공하며, 빠른 스위칭 성능을 통해 고주파 애플리케이션에 최적화된 특성을 가집니다. 또한 열 안정성이 뛰어나고 낮은 열 저항을 통해…
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