Vishay Siliconix SI1062X-T1-GE3는 고신뢰성 FET으로서, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 솔루션입니다. 이 소자는 저 저항으로 인한 컨덕션 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서도 안정적인 동작을 가능하게 하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제조되어, 까다로운 전기적·열적 조건에서도 효율적 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대적인 파워 및 신호 제어 설계에 손쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 저 RDS(on): 컨덕션 손실을 최소화해 시스템 효율을 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 전환 속도 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 성능 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위 확장에 대응 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서 선택 가능 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(오토모티브 등급 모델), RoHS, REACH 준수 적용 분야 Vishay Siliconix SI1062X-T1-GE3는 전력 관리부터 자동차 전장, 산업용 시스템까지 폭넓게 활용됩니다. DC-DC 컨버터, 로드…
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SIHK125N60E-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 개요 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야의 선도적인 브랜드입니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 활용되고 있습니다. SIHK125N60E-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 설계된 단일 소자 MOSFET로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기/열 조건 하에서도 안정적인 작동을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 다양한 동작 상황에서 효율적 전력 변환과 정확한 파워 제어를 가능하게 합니다. 주요 특징과 이점 저 RDS(on)로 전도 손실 감소: 높은 시스템 효율을 필요로 하는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치 등에서 이득 극대화 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도 향상 및 EMI 관리에 유리 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 성능으로 지속적 고전력 운용 가능 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 조건의…
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Vishay Siliconix SI7716ADN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 산하에 있는 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 디스크리트 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 효율적인 전력 관리, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 광범위하게 사용됩니다. Vishay Siliconix SI7716ADN-T1-GE3는 저 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 전기적·열적 조건에서 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터 - FET 및 MOSFET입니다. Vishay의 최신 실리콘 프로세스를 사용하여 설계된 이 장치는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 또한 다양한 작동 시나리오에서 뛰어난 성능을 발휘하며, 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃 유연성과 현대적인 전력 및 신호 제어 설계의 통합을 용이하게 합니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 분산 기능을 갖추고 있습니다. 넓은…
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Vishay Siliconix IRFL9014TRPBF — 고신뢰성 트랜지스터 - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 일환으로, 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성을 중시하는 브랜드입니다. Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨터 응용 분야에서 광범위하게 채택되어 있습니다. IRFL9014TRPBF: 뛰어난 성능의 MOSFET Vishay Siliconix IRFL9014TRPBF는 저전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 작동을 제공하는 고성능 MOSFET입니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어, 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 작동 환경에서 안정적인 성능을 보장하며, 현대의 전력 및 신호 제어 설계에 유용하게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율성을 극대화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용 프로그램에 최적화되어 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 방출 성능을 자랑합니다. 광범위한 작동…
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Vishay Siliconix SIDR220DP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs – 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 반도체 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 집중하여, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. SIDR220DP-T1-RE3: 고성능 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix의 SIDR220DP-T1-RE3는 고성능 단일 MOSFET으로, 전도 손실이 적고 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 고온 및 고전압 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 이 디바이스는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어, 다양한 전기적 및 열적 조건에서 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 분산 기능을 갖추고 있습니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압…
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Vishay Siliconix SIHA15N65E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET 및 MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 산하 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 제공합니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성을 강조하는 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SIHA15N65E-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 고온 및 고전압 환경에서도 안정적인 작동을 지원하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 제품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어 다양한 전력 변환 및 정밀한 전력 제어가 가능하며, 광범위한 운용 조건에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on) 이 제품은 낮은 전도 손실을 제공하여 높은 효율성을 구현합니다. 전도 손실을 최소화하여 시스템의 전체적인 에너지 효율성을 높이며, 열 발산을 줄이는 데 중요한 역할을 합니다. 빠른 스위칭 성능 고주파 응용 프로그램에 최적화된 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 이 특성은…
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Vishay Siliconix SQ2389ES-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, FET, MOSFET 단일 소자: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 최적화 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션에 특화된 글로벌 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 이러한 특성을 바탕으로, Vishay Siliconix SQ2389ES-T1_GE3는 높은 전력 전환 효율과 신뢰성을 제공하는 뛰어난 성능의 트랜지스터입니다. Vishay Siliconix SQ2389ES-T1_GE3의 주요 특징 Vishay Siliconix SQ2389ES-T1GE3는 전도 손실을 최소화하고, 빠른 스위칭 성능을 자랑하는 고성능 트랜지스터로 설계되었습니다. 이 소자는 다양한 전기적 및 열적 조건에서도 안정적으로 동작할 수 있도록 Vishay의 최신 실리콘 프로세스를 활용하여 제조되었습니다. 특히, SQ2389ES-T1GE3는 낮은 RDS(on) 값을 제공하여 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 또한, 낮은 열 저항과 뛰어난 열 분산 능력으로 장기간 안정적인 작동이 가능합니다. 넓은 전압 및…
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Vishay Siliconix SIHFR1N60A-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 주요 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션에 전문성을 가지고 있습니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 집중하는 이 회사의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨터 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 그 중에서도 SIHFR1N60A-GE3는 고성능 트랜지스터로, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 통해 다양한 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 성능을 제공합니다. SIHFR1N60A-GE3의 주요 특징 낮은 RDS(on)로 향상된 효율성 SIHFR1N60A-GE3는 낮은 RDS(on) 특성을 자랑하여 전도 손실을 최소화하고, 더 높은 효율을 달성합니다. 이는 고효율 전력 시스템을 설계하는 데 중요한 요소입니다. 빠른 스위칭 성능 이 트랜지스터는 고주파 응용 분야에 최적화된 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 빠른 전환 속도는 전력 소비를 최소화하고 시스템의 응답 속도를 향상시킵니다. 우수한 열 안정성 열 저항이 낮고 우수한 열 방출 성능을 가진 SIHFR1N60A-GE3는…
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Vishay Siliconix SQJ886EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 전 세계 반도체 시장에서 높은 성능의 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 제공하는 선도적인 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 강점을 가진 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 애플리케이션에 널리 사용되고 있습니다. 그 중에서 SQJ886EP-T1_GE3는 효율적인 전력 변환 및 신호 제어를 위한 고성능 트랜지스터로 주목받고 있습니다. SQJ886EP-T1_GE3의 주요 특징 1. 낮은 RDS(on): SQJ886EP-T1_GE3는 낮은 온저항(RDS(on))을 제공하여 전도 손실을 최소화하고, 전체 시스템의 효율성을 극대화합니다. 이는 특히 고주파 응용에서 전력 소모를 줄여주는 중요한 요소로 작용합니다. 2. 빠른 스위칭 성능: 이 MOSFET는 고속 스위칭을 최적화하여, DC-DC 변환기와 같은 고주파수 응용에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 빠른 스위칭 동작은 전체 시스템의 응답 속도를 향상시키고, 신뢰성을 높여줍니다. 3. 열 안정성: SQJ886EP-T1_GE3는 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능을 제공하여, 고온 환경에서도…
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Vishay Siliconix SQ4153EY-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 싱글 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 기업입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 중점을 두어 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SQ4153EY-T1_BE3는 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터 FET(MOSFET)로 설계되었습니다. 이 부품은 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열 및 전기 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 프로세스를 통해 설계된 이 장치는 다양한 운영 시나리오에서 효율적인 전력 제어를 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): SQ4153EY-T1_BE3는 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 이는 전력 소모를 줄이고, 전체 시스템 성능을 향상시킬 수 있습니다. 빠른 스위칭 성능: 이 MOSFET는 고주파 응용 프로그램에 최적화되어 있어 빠른 스위칭 특성을…
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