Vishay Siliconix

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SI7868ADP-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7868ADP-T1-E3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 전력 반도체의 선두 주자로서 고성능 MOSFET과 전력 IC, 이산 소자 솔루션 분야에서 잘 알려진 브랜드입니다. 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서의 폭넓은 응용 사례를 통해 전력 효율성, 열 성능, 신뢰성을 핵심 가치로 삼아 왔습니다. SI7868ADP-T1-E3는 이러한 철학을 반도체 설계에 반영하여, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 조건이 가혹한 상황에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 싱글 트랜지스터- FET입니다. 이 칩은 바쁜 전력 관리 회로에서 정밀 제어와 안정성 높은 동작을 가능하게 합니다. 핵심 특징과 성능 SI7868ADP-T1-E3는 저 RDS(on)를 통해 전도 손실을 최소화하고, 고주파 애플리케이션에 적합한 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 견고한 열 저항과 열 방출 특성은 고부하 상황에서도 열 축적을 억제하며, 폭넓은 작동 전압 및 온도 영역은 다양한 전원 환경에서의 안정적인 동작을 보장합니다. 또한, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지 옵션으로 제공되어 설계자들이 PCB…
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SI9407BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI9407BDY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일환으로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 제품을 개발하여 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SI9407BDY-T1-GE3는 고성능 트랜지스터로 설계된 단일 MOSFET 소자로, 전도 손실이 적고 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 이 장치는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 작동 시나리오에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용을 위해 최적화됨 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방산 광범위한 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위…
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SIHP35N60E-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHP35N60E-BE3 — High-Reliability Transistors - FETs, MOSFETs - Single for Efficient Power and Signal Control 주요 특징 Vishay Siliconix의 SIHP35N60E-BE3는 고성능 MOSFET으로 단일 소자로 설계되어 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 이 소자는 저 RDS(on)으로 구동 효율을 높이고, 빠른 스위칭 속도로 고주파 응용에서도 뛰어난 성능을 발휘합니다. 열 저항이 낮고 열 방출이 우수한 구조로 열 관리가 중요시되는 고전력 설계에서 안정적인 동작을 보장합니다. 또한 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원하여 다양한 환경에서도 일관된 성능을 유지합니다. 패키지 측면에서는 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지를 제공해 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 편의성을 높였습니다. 품질과 규정 준수 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하여 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야의 신뢰성 요구에 응합니다. 적용 분야 및 설계 이점 SIHP35N60E-BE3는 전원 관리 구성요소 전반에서 강력한 솔루션을 제공합니다. DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등 전력…
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SI4866DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4866DY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자: 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 개요 및 특징 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 축적된 노하우를 바탕으로 전력 효율성, 열 성능, 신뢰성에 집중해 왔습니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되는 이 브랜드는 전력 변환의 효율을 높이고 시스템의 열 관리 여건을 견고하게 만드는 구성 요소를 제공합니다. SI4866DY-T1-GE3은 단일 소자로 설계된 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET로, 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성으로 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 구현합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조된 이 소자는 폭넓은 작동 조건에서 정밀한 전력 제어와 효율적인 전력 변환을 가능하게 하며, 다양한 설계 요구에 맞춰 파워 일체형 모듈 및 제어 회로에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 최소화: 시스템 효율 향상과 발열 관리의 여건을 개선합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서 응답…
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SIDR220EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIDR220EP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자 Vishay Siliconix은 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디지털·아날로그 디스크리트 솔루션으로 잘 알려진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. SIDR220EP-T1-RE3는 이 흐름을 계승하는 고성능 트랜지스터-전력 소자로, 낮은 conduction loss와 빠른 스위칭 특성, 엄격한 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 소자는 최신 실리콘 공정을 기반으로 설계되어 효율적 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 필요로 하는 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 또한 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 설계자들이 PCB 레이아웃과 시스템 설계에서 유연하게 활용할 수 있습니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 속도 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적 넓은 작동 범위: 광범위한 전압 및 온도 조건에서의 신뢰성 보장 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성 확보 품질 및…
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SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 파워 및 신호 제어 실현 고신뢰성 MOSFET SQM100N04-2M7GE3의 설계 개요 Vishay Siliconix가 제공하는 SQM100N04-2M7GE3은 단일 트랜지스터- FET로서, 전력 변환과 신호 제어에서 높은 효율과 안정성을 동시에 추구하는 엔지니어링 목표를 반영해 개발되었습니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 전력 손실을 낮추고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 환경에서도 일관된 동작을 보입니다. 열 조건이 가혹한 상황에서도 견고한 성능을 유지하도록 설계되었으며, 다양하게 확장 가능한 작동 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 이러한 설계 철학은 자동차, 산업, 컴퓨팅 및 소비자 전자 분야에서 요구되는 긴 수명과 신뢰성을 뒷받침합니다. 주요 특징 및 패키지 옵션 SQM100N04-2M7_GE3의 핵심은 다음과 같은 성능 균형에 있습니다. Low RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이고, 열 관리 부담을 줄입니다. Fast Switching Performance: 고주파 스위칭에 적합한 반응 속도와 낮은 스위칭 손실을 제공합니다. Thermal Stability: 낮은 열 저항 및 우수한 방열 특성으로 고부하 상황에서도 안정적…
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SQ4840EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ4840EY-T1GE3는 고신뢰성 FET/MOSFET으로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었습니다. Vishay Silconix는 파워 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춰 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에 널리 채택되고 있습니다. SQ4840EY-T1GE3는 이러한 강점을 기반으로 다양한 전력 변환 및 신호 제어 시나리오에서 효율성과 제어 정확성을 동시에 실현합니다. 주요 특징 SQ4840EY-T1_GE3의 핵심은 낮은 RDS(on)으로 인한 전도 손실 감소와 고주파 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 성능입니다. 또한 열 저항이 설계에 반영되어 열 관리가 용이하고, 열 방출이 안정적으로 이루어지도록 설계되었습니다. 넓은 동작 범위는 고전압/고온 환경에서의 신뢰성 있는 작동을 보장하며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 극대화합니다. 품질 측면에서는 JEDEC 표준, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 등의 규정을 충족해 자동차 및 산업용 애플리케이션의 요구를 충족합니다. 적용 분야 및 설계 이점…
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SISS30ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SISS30ADN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자: 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 설계 주요 특징과 성능 방향 Vishay Siliconix SISS30ADN-T1-GE3은 고성능 트랜지스터- FET/ MOSFET 단일 소자로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 변환의 효율을 높이고 안정적인 작동을 제공합니다. 핵심 특징으로는 낮은 RDS(on)으로 구동 손실을 줄이고, 고주파 응용에서도 빠른 스위칭으로 제어 정확성을 향상시키며, 뛰어난 열 특성으로 고온 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 또한 폭넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원해 파워 모듈, DC-DC 컨버터, 로드 스위치 등 다양한 회로에서 설계 여유를 제공합니다. 패키지 옵션과 설계 유연성 SISS30ADN-T1-GE3은 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 구현 편의성을 극대화합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 패키지를 통해 방열 성능과 기계적 신뢰성을 프로젝트 요구사항에 맞춰 최적화할 수 있습니다. 표준화된 패키지 라인업은 자동화 조립·시험 흐름과의 호환성을 높이고, 설계 변경이나 플랫폼 교체 시 리스크를 줄여줍니다. 또한 이…
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SI3456DDV-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI3456DDV-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션에 특화된 업체입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있으며, 이로 인해 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SI3456DDV-T1-E3: 고성능 FET 및 MOSFET 소자 Vishay Siliconix SI3456DDV-T1-E3는 저전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열적 안정성을 제공하는 고성능 트랜지스터 FET/MOSFET 단일 소자입니다. Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 통해 설계된 이 소자는 다양한 전기적 및 열적 조건에서도 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 또한 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 높이고, 최신 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징들 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능:…
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SI3458BDV-T1-E3 Vishay Siliconix
개요 Vishay Siliconix SI3458BDV-T1-E3는 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET로 설계된 단일 소자입니다. 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 겸비하고, 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적으로 작동하도록 만들어진 이 부품은 고효율의 전력 변환과 정밀한 신호 제어를 가능하게 합니다. Vishay의 최첨단 실리콘 공정을 바탕으로 다양한 동작 환경에서의 효율성 및 신뢰성을 제공하며, 현대 파워 및 제어 회로의 설계 유연성을 높여 줍니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 설계 프로세스에 융통성을 부여합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 높임. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에서 최적화된 동작. 열적 안정성: 낮은 열저항과 강력한 방열 특성으로 신뢰성 향상. 넓은 작동 범위: 폭넓은 전압 및 온도 범위를 지원. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 제공. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 표준 충족. 적용 분야 SI3458BDV-T1-E3는 전력 관리 전체 영역에서 두루 활용됩니다. DC-DC…
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