Vishay Siliconix

Vishay Siliconix SIHG22N60EF-GE3 — 고신뢰성 MOSFET로 효율적 전력 제어 개요 및 특징 Vishay Siliconix는 전력 반도체 분야를 선도하는 브랜드로, SIHG22N60EF-GE3는 단일 트랜지스터‑FET로서 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 한데 모아 고신뢰도 설계에 최적화된 솔루션이다. 이 소자는 Vishay의 진보된 실리콘 제조 공정으로 구동되며, 폭넓은 동작 전압과 온도 범위에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 한다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 현대적 구동 회로의 직관적 통합을 지원한다. 주요 특징은 다음과 같다: 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소 및 효율 향상 고주파 응용에 적합한 빠른 스위칭 성능 열저항이 낮고 방열이 우수한 열적 안정성 넓은 동작 전압 및 온도 범위 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 포장 형태 JEDEC, AEC‑Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 등의 품질 및 규정 준수 적용 분야 및 설계 고려사항 SIHG22N60EF-GE3은 전력 관리, 자동차 전장, 산업 시스템, 소비자 전자,…

Vishay Siliconix SI4456DY-T1-E3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix은 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 디스크리트 솔루션을 중점 개발합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이들 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SI4456DY-T1-E3는 이러한 브랜드의 핵심 철학을 반영한 고성능 트랜지스터로, 낮은 RDS(on), 빠른 스위칭 특성, 열 환경에 대한 안정된 동작을 동시에 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 광범위한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원합니다. 개요 및 주요 특징 낮은 RDS(on)로 전도 손실 감소: 작동 중 열 손실을 최소화하여 시스템 효율을 높이고 방열 설계를 단순화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도를 향상시키며, 드라이버 구동 및 제어 회로의 소형화에 기여합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 급격한 부하 변화나 고온 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 폭넓은…

Vishay Siliconix SI4168DY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 핵심 기술과 성능 SI4168DY-T1-GE3은 단일 MOSFET으로 설계된 고성능 트랜지스터로, 낮은 RDS(on)으로 도통 손실을 줄이고 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에 최적화되어 있습니다. 이 칩은 열 저항이 낮고 열방출이 우수한 구조를 통해 고온에서도 안정적으로 동작하며, 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 바이오스나 전력 모듈의 설계에서 전력 손실과 발열 관리가 중요한 상황에서 유리합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지를 제공하여 PCB 레이아웃의 유연성과 디자인의 단순화를 가능하게 합니다. 품질 및 규격 면에서도 JEDEC 표준 준수는 물론 AEC-Q101(차량용 등급 모델), RoHS 및 REACH 같은 환경 및 품질 규정을 충족합니다. 이러한 특징은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로, 고효율 전력 변환과 정확한 제어를 필요로 하는 광범위한 애플리케이션에서 신뢰할 수 있는 성능을 제공합니다. 적용 분야 및 설계 이점 SI4168DY-T1-GE3는 전력 관리에서 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈…

Vishay Siliconix SQM40N10-30_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, FET/ MOSFET 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야의 확고한 입지를 가진 브랜드로, 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춰 왔습니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되는 이력은 SQM40N10-30GE3가 요구하는 까다로운 전력 제어 및 신호 관리 환경에서도 안정적인 성능을 제공한다는 점을 뒷받침합니다. SQM40N10-30GE3는 이러한 철학을 바탕으로 낮은 도통 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 관리 용이성 등을 종합적으로 제공합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 도통 손실 감소 및 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에 적합 열적 안정성: 저열저항과 견고한 방열 특성으로 고온에서도 일관된 동작 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 안정적인 동작 지원 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 유연한 PCB 레이아웃 가능 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델),…

Vishay Siliconix SIRA12DP-T1-GE3는 단일형 고성능 트랜지스터- FET MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 조건이 까다로운 상황에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 설계되어 전력 변환 효율을 극대화하고 제어 정확성을 유지하며, 다양한 작동 시나리오에서 신뢰성 있는 파워 제어를 가능하게 합니다. 또한 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 PCB 레이아웃과 모듈형 전력 설계에 유연성을 더합니다. 주요 특징 저 RDS(on)으로 전도 손실 축소: 고효율 서플라이와 DC-DC 컨버터에서 열 관리 부담을 줄이고 전체 시스템 효율을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서 높은 전력 밀도와 응답 속도를 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 열 축적에 따른 성능 저하를 최소화합니다. 넓은 동작 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 자동차, 산업, 소비자 전자 기기 등 다양한 환경에서 안정적으로 작동합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 설계 유연성과 PCB 레이아웃 선택의 폭이 큽니다.…

Vishay Siliconix SQM40061EL_GE3는 고성능 FET, MOSFET 단일 소자로서, 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 환경에 대한 안정적인 동작을 목표로 설계되었습니다. Vishay Siliconix는 파워 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 반도체 브랜드로, 이 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. 설계 강점과 특징 SQM40061EL_GE3는 저 RDS(on) 구동으로 전도 손실을 줄여 시스템 전반의 효율성을 높입니다. 빠른 스위칭 특성은 고주파 응용 분야에서의 성능을 향상시키며, 고온이나 급격한 부하 변화가 있는 조건에서도 안정적인 동작이 가능하도록 설계되었습니다. 열 특성 측면에서는 낮은 열 저항과 강인한 방열 성능을 제공하여 지속적인 운전에서도 신뢰성을 유지합니다. wide operating range를 통해 다양한 전압 및 온도 조건에서의 동작 범위를 확보하고, 실무에서의 설계 여유를 제공합니다. 패키지 측면에서 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등과 같은 표준 패키지로 다수의 보드 설계에 융통성 있게 적용할 수 있어, 현대의 파워 및 신호 제어 회로에서 레이아웃의 유연성을…

Vishay Siliconix의 IRFR320TRRPBF는 단일 트랜지스터- MOSFET로서, 저 conduction 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 신뢰성을 한꺼번에 제공하도록 설계되었습니다. Vishay Siliconix 브랜드는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 만큼, 이 부품은 전력 변환과 신호 제어에서 높은 효율과 안정성을 기대하는 현장에 적합합니다. IRFR320TRRPBF는 다양한 동작 환경에서 정밀한 제어와 견고한 동작을 목표로 제작되었습니다. 주요 특징 Low RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 전력 효율을 향상시킵니다. Fast Switching Performance: 고주파 응용에서 스위칭 손실을 줄이고 응답 속도를 높입니다. Thermal Stability: 열 저항이 낮고 열 분산이 우수하여 고부하 조건에서도 안정적 운용이 가능합니다. Wide Operating Range: 폭넓은 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 시스템에 적용할 수 있습니다. Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 PCB 레이아웃의 유연성을 제공합니다. Quality

Vishay Siliconix SQ2318AES-T1_GE3는 단일 형식의 고신뢰성 전력 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 낮은 컨덕턴스 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay Siliconix의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 개발된 이 소자는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어가 필요한 다양한 환경에서 신뢰성 높은 성능을 발휘합니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 설계자들에게 PCB 레이아웃의 유연성과 손쉽게 통합할 수 있는 이점을 제공합니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고, 열 관리 부담을 완화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 스위칭 속도와 전환 특성을 구현합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 설계 요구에 대응합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 부품 선택의 폭이 커집니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 등 국제 표준을…

Vishay Siliconix IRFR210PBF-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 다양한 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에 널리 채택되고 있다. IRFR210PBF-BE3는 이 같은 강점을 바탕으로 높은 신뢰성과 탁월한 전력 제어 능력을 제공하는 단일 구성의 트랜지스터-FET로 설계되었다. 이 소자는 낮은 순저항(RDS(on))으로 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 보인다. 또한 Vishay의 선진 실리콘 공정 기술을 통해 파워 변환 효율을 높이고 다양한 작동 상황에서 정밀한 파워 제어가 가능하다. 핵심 특징 저 RDS(on)로 전도 손실 감소: 이 소자는 전력 변환 회로에서 더 적은 열과 더 높은 효율을 달성하도록 설계되었다. 트랜지스터가 도통하는 동안의 저항 감소는 배치 면적과 냉각 설계의 여유를 넓혀 준다. 빠른 스위칭 성능: 고주파…

IRFBE30STRLPBF: 고신뢰성 MOSFET으로 효율적 전력 제어를 실현 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션 부문에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되며, 높은 안전 여건하에서도 안정적인 동작을 제공합니다. IRFBE30STRLPBF는 이러한 철학을 바탕으로 설계된 단일 소자 고성능 트랜지스터-전력 FET로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 관리의 강건함을 결합해 다양한 전력 변환 및 신호 제어 애플리케이션에서 신뢰성 높은 솔루션을 제공합니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 감소시켜 시스템 효율을 높이고 배터리 또는 전원 공급의 발열 부담을 줄입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 수요가 많은 응용에서 스위칭 손실을 최소화하며 응답 속도를 향상합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 환경과 설계 조건에서 유연하게 활용 가능합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK,…