Vishay Siliconix

Vishay Siliconix

해당 카테고리에 2000개의 글이 있습니다.
SI2328DS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2328DS-T1-BE3 — 고신뢰성 FET으로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 강력한 파워 솔루션 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션을 통해 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춰 왔습니다. SI2328DS-T1-BE3는 이러한 철학을 바탕으로 설계된 단일 고성능 트랜지스터- FET입니다. 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 관리가 용이한 동작 특성을 통해 전력 변환과 신호 제어의 정밀도를 높여주며, 넓은 작동 조건에서도 안정적인 성능을 제공합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대의 파워 및 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 유연성을 극대화합니다. 주요 특징 저 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 입력 전류가 커지는 시스템에서도 열 손실을 억제하고 효율을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 전환 손실을 최소화하고 응답 속도를 개선합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 열 축적에 강합니다. 광범위한 작동 전압 및 온도 범위: 다양한 환경에서 일관된 성능을 발휘합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK,…
더 읽어보기 →
SI7155DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7155DP-T1-GE3 — 고신뢰도 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션에서 오랜 기간 축적한 기술력을 바탕으로 전력 효율성과 열 특성, 신뢰성을 중시하는 브랜드로 자리매김해 왔습니다. SI7155DP-T1-GE3는 단일 소자로 설계되어, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 이 기기는 Vishay의 최신 실리콘 공정으로 제작되어 폭넓은 동작 환경에서 정밀한 전력 제어와 효율적인 전력 변환을 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어, 현대적인 PCB 레이아웃과 손쉬운 설계 통합을 지원합니다. SI7155DP-T1-GE3의 핵심 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 낮춰 시스템 효율성을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도 향상 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 성능 유지 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 어플리케이션에 적용 가능 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 보드 레이아웃의…
더 읽어보기 →
IRF840BPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF840BPBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자 Vishay Siliconix의 IRF840BPBF는 단일 MOSFET로, 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 갖춰 고효율의 전력 및 신호 제어를 가능하게 하는 솔루션입니다. 이 부품은 다양한 전력 변환 및 제어 응용에서 일관된 성능을 제공하도록 Vishay의 정밀 실리콘 공정을 바탕으로 설계되었으며, 광범위한 작동 전압과 온도 조건에서도 안정적으로 작동합니다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 손쉽게 적용할 수 있습니다. 개요 및 특징 저 RDS(on)로 도통 손실 감소: 낮은 온저항은 고효율 전력 변환과 열 관리 간의 균형을 개선합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 우수한 스위칭 특성을 제공해 전력 손실을 최소화합니다. 열 안정성 및 내열성: 낮은 열저항과 견고한 방열 해석으로 가혹한 전기·열 환경에서도 성능 저하를 억제합니다. 넓은 동작 범위: 고전압/고온 환경에서 안정적인 동작을 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양하게 제공되어 설계 편의성을…
더 읽어보기 →
SIHG33N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix의 SIHG33N60EF-GE3은 고신뢰성 MOSFET으로, 단일 소자에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 환경에서의 안정성을 한꺼번에 제공합니다. 정밀한 전력 제어와 효율적 변환이 필요한 현대의 파워/신호 설계에서 이 부품은 핵심 구성 요소로 자리매김합니다. 고전압·고온에서도 일관된 성능을 유지하도록 설계된 SIHG33N60EF-GE3은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 제작되며, 다양한 운영 시나리오에 유연하게 대응합니다. 핵심 특성 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 더 높은 시스템 효율을 구현합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 응답 속도와 전력밀도를 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 방열 특성으로 지속적인 고부하 작동 가능성을 제공합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 조건이 변화하는 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성을 강화합니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족합니다. 적용 시나리오 파워 매니지먼트: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에서 효율적인 전력 분배와 제어를 제공합니다. 자동차 전자:…
더 읽어보기 →
SQ2309ES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ2309ES-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 핵심 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 유명한 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 자랑합니다. 전력 효율, 열 성능, 신뢰성에 집중하는 이들 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. SQ2309ES-T1_GE3는 그러한 기술력의 정점에 위치한 고성능 MOSFET로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 관리 안정성을 결합하여 다양한 전력 변환 및 신호 제어 시나리오에서 우수한 성능을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 소자는 넓은 작동 범위에서 효율적인 전력 관리와 정확한 제어를 지원합니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 전도 손실 감소: 더 높은 시스템 효율과 배터리 수명 연장에 기여합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 안정적인 동작을 가능하게 하여 DC-DC 컨버터 및 파워 모듈의 응답 속도를 개선합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열…
더 읽어보기 →
SIAA40DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
특징과 이점 SIAA40DJ-T1-GE3은 고신뢰성 단일 FET로, 저 RDS(on)으로 도통 손실을 줄이고 전력 효율을 향상시킨다. 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서의 동작 효율을 최적화하며, 열 저항이 낮고 열 방출이 견고해 까다로운 전기적/열적 조건에서도 안정적으로 작동한다. 폭넓은 동작 범위를 지원하여 다양한 전압과 온도 환경에서 설계 여유를 제공하며, 신뢰성 중심의 파워 매니지먼트에 적합하다. 패키지 면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 간편성이 큰 이점이 된다. 품질과 규정 준수 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델 포함), RoHS, REACH를 충족해 자동차, 산업, 소비자 전자 등 다양한 분야의 요구를 만족한다. 이로써 고효율 전력 제어와 신호 제어를 한 칩으로 간편하게 구현할 수 있다. 적용 분야 파워 매니지먼트: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 자동차 전자: 바디 전자장치, 인포테인먼트, 조명, EV 서브시스템 산업 시스템: 모터 구동, 파워 서플라이, 자동화 제어 소비자 전자: 노트북, 충전기, 어댑터, 휴대 기기 컴퓨팅 및…
더 읽어보기 →
SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7820DN-T1-GE3는 고신뢰성 MOSFET으로서, 저전력 손실과 빠른 스위칭 성능을 바탕으로 전력 변환 및 신호 제어를 효율적으로 관리하도록 설계되었습니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 높은 신뢰성과 열 성능을 요구하는 애플리케이션에 널리 채택되고 있습니다. SI7820DN-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 다양한 작동 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 구성되어 있습니다. 제품 개요 SI7820DN-T1-GE3은 단일 소자 MOSFET로, 전력 변환 회로에서의 구동 손실을 줄이고 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 가능하게 합니다. 이 칩은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 제조되며, 저항 동작 영역에서의 일관된 특성과 고온 환경에서도 견고한 성능을 발휘합니다. 패키지 측면에서 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지를 폭넓게 제공합니다. 이를 통해 PCB 레이아웃의 유연성은 물론 기판 공간과 열 관리 요구에 맞춘 설계 선택이 가능합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH와 같은 글로벌 품질 및…
더 읽어보기 →
IRLI530GPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRLI530GPBF — 고신뢰성 트랜지스터와 MOSFET 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 저전압 및 고전력 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드입니다. 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춰 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. IRLI530GPBF는 이러한 전통을 이어가는 고성능 트랜지스터(MOSFET)로, 단일 소자임에도 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열악한 전기/열 조건에서도 안정적인 작동을 목표로 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로, 광범위한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연성을 부여합니다. 주요 특징과 이점 낮은 RDS(on)로 컨덕션 손실 감소: 소자 내부 저항이 작아져 시스템의 효율이 올라가고 발열이 줄어듭니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 신속한 전환으로 전력 변환 효율을 극대화합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 발열…
더 읽어보기 →
SI7145DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7145DP-T1-GE3는 고신뢰성 FET으로, 고효율의 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자로 설계되었습니다. Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이들 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 활용됩니다. SI7145DP-T1-GE3는 저항성 RDS(on) 감소로 컨덕션 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에 적합하며, 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적인 동작을 보이도록 설계되었습니다. 이 칩은 Vishay의 진보된 실리콘 제조 공정으로 제조되어 폭넓은 동작 상황에서 효과적인 전력 변환과 정확한 파워 제어를 지원합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준의 다양한 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 편의성을 높입니다. 주요 특징 및 이점 저 RDS(on): 컨덕션 손실을 낮춰 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 시스템에서의 응답 속도 개선 열 안정성: 낮은 열 저항과 효과적인 방열로 고온에서도 안정적…
더 읽어보기 →
SIE802DF-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIE802DF-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터- FET: 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징과 설계 이점 Vishay Siliconix의 SIE802DF-T1-GE3는 고성능 MOSFET 솔루션으로, 전도 손실을 줄이고 빠른 스위칭으로 고주파 응용에서의 성능을 극대화하도록 설계되었습니다. 이 소자는 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 감소시키고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 구간에서의 제어 정밀성과 응답 속도를 제공합니다. 또한 열 저항이 낮은 열 관리와 견고한 열 방출 특성을 갖춰 광범위한 온도 조건에서 안정적으로 작동합니다. 폭넓은 동작 전압 및 온도 범위 덕분에 다양한 시스템에서 여유로운 운영을 가능하게 합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 간편성을 높이고, JEDEC, AEC-Q101(자동차용 등급 모델), RoHS 및 REACH와 같은 품질 및 규정 준수 표준을 충족합니다. 적용 시나리오 및 시스템 이점 SIE802DF-T1-GE3는 전력 관리부터 자동차 전장, 산업 자동화까지 폭넓은 분야에서 사용할 수 있습니다. 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서의…
더 읽어보기 →