Vishay Siliconix

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SIS698DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIS698DN-T1-GE3는 단일 전력용 MOSFET으로, 고효율 전력 관리와 신호 제어를 위한 저전도 손실 및 빠른 스위칭 특성, 그리고 엄격한 온도 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었습니다. 첨단 실리콘 공정을 적용해 다양한 동작 환경에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성과 PCB 레이아웃의 간편함을 제공합니다. 핵심 특징 Low RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율 향상에 기여 Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에 적합한 스위칭 속도 Thermal Stability: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 성능으로 고온에서도 안정적 Wide Operating Range: 전압 및 온도 범위를 넓게 커버하는 설계 Package Flexibility: TO-, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서 선택 가능 Quality
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SISA35DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SISA35DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 그룹의 대표적인 파워 솔루션 브랜드로서, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션을 제공하는 데 주력합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 집중으로 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되어 왔습니다. SISA35DN-T1-GE3은 이러한 브랜드의 강점을 바탕으로 설계된 고성능 트랜지스터-전압 제어 소자이며, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 환경에 대한 안정적인 작동을 강조합니다. 특징 및 성능 요약 낮은 RDS(on): 전도 손실이 줄어 전력 효율이 향상됩니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 응답 속도와 제어 정확성을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고온에서도 안정적인 작동을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 전압과 온도 변화가 큰 환경에서도 신뢰성 있는 동작을 지원합니다. 패키지 선택의 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 설계에 맞춘 레이아웃이 용이합니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급…
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SI4425DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4425DDY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET 싱글 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 디스크리트 반도체 솔루션을 전문적으로 제공하는 회사입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성을 중시하는 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨터 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SI4425DDY-T1-GE3의 특징 Vishay Siliconix SI4425DDY-T1-GE3는 고성능 트랜지스터 - FET, MOSFET 싱글로 설계되어 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 전기적 및 열적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 사용하여 설계된 이 제품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운영 시나리오에서 안정적으로 동작합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 분산 성능 광범위한 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원 패키지…
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SIHA17N80E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHA17N80E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 패키지로 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징 SIHA17N80E-GE3는 Vishay Siliconix의 고성능 MOSFET 계열에 속하는 단일 트랜지스터로, 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 손실을 최소화하고 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 저항이 낮은 도통 손실은 고효율 전력 변환 시스템에서 열 관리 부담을 줄이고, 빠른 스위칭은 고주파 구간의 제어 정밀도를 높여줍니다. 이 소자는 넓은 동작 범위를 지원해 다양한 전압과 온도 조건에서도 일관된 성능을 발휘합니다. 열적 안정성 역시 우수하여 패키지 간 열저항이 낮고 방열 설계가 용이합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지에서 제공되어 PCB 레이아웃과 설계 융통성이 크게 증가합니다. 또한 JEDEC 규격, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH 같은 품질 및 규정 준수를 충족하여 다양한 산업 영역에서 신뢰 가능한 솔루션으로 평가받고 있습니다. Vishay의 정교한 실리콘 공정으로 제조되어 장기 신뢰성과 안정적인 열 특성을 바탕으로 전력 제어 시스템의 감속…
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SQM35N30-97_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQM35N30-97_GE3: 고신뢰성 MOSFET 단일 소자로 효율과 제어 성능을 한자리에 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율, 열성능, 장기 신뢰성에 초점을 둔 다층 설계로 다양한 산업군에 채택되고 있다. SQM35N30-97_GE3는 고전력 및 고주파 환경에서도 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하도록 설계된 단일 소자 트랜지스터-또는 FET 계열의 MOSFET이다. 이 소자는 Vishay의 진보된 실리콘 공정 기술로 제조되어 전력 변환과 정밀 전력 제어가 필요한 애플리케이션에서 안정적인 동작을 보장한다. 주요 특징 및 설계 이점 낮은 RDS(on): 도통 손실을 최소화해 전력 효율을 높이고, 열 관리 부담을 줄인다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 스위칭 손실을 억제하고 전력 변환의 반응 속도를 향상시킨다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고온 환경에서도 성능 변화를 최소화한다. 광범위한 동작 범위: 고전압 및 고온에서도 일관된 동작을 지원해 설계 여유를 제공한다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등…
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SI3129DV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI3129DV-T1-GE3: 고신뢰성 트랜지스터(FET)·MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 유명 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 신뢰성 있는 파워 관리 솔루션을 제공합니다. 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성을 핵심 가치로 삼아 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. SI3129DV-T1-GE3는 이러한 브랜드 철학을 반영한 고성능 MOSFET 솔루션으로, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 가혹한 전기/열 조건에서도 안정적으로 작동하는 설계가 돋보입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어, 광범위한 동작 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 핵심 특징 저 RDS(on)로 컨덕션 손실 감소: 높은 효율성으로전력 변환 구간의 손실을 줄여줍니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 고속 제어가 필요할 때 유리합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항 및 견고한 방열 특성으로 지속적이고 신뢰할 수한 작동을 지원합니다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 확장 범위를 아우르는 구성으로 다양한 설계에 응용 가능.…
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SQ3419EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ3419EV-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET)로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 파워 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 확고한 관심으로 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 광범위하게 채택되고 있습니다. SQ3419EV-T1_BE3는 이러한 철학을 바탕으로 설계된 단일 스위칭 소자로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 효율적인 전력 변환과 정밀한 제어가 필요한 다양한 운용 시나리오를 지원합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 현대적인 설계의 PCB 레이아웃과 인터페이스를 유연하게 구성할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소와 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화된 동작 열 안정성: 낮은 열 저항 및 탁월한 방열 특성으로 고온 환경에서도 신뢰성 유지 넓은 작동 범위: 확장된…
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SIRA74DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIRA74DP-T1-GE3는 고신뢰성 트랜지스터-펫 FET, MOSFET 단일 소자로, 효율적인 전력 변환과 정밀한 신호 제어를 가능하게 하는 설계와 성능을 갖추고 있습니다. Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야의 선도 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 활용됩니다. SIRA74DP-T1-GE3는 이러한 기술력과 제조 공정을 바탕으로, 다양한 전력 관리 및 신호 제어 애플리케이션에서 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. 주요 특징과 성능 저 RDS(on)로 인한 전도 손실 감소: 전력 손실을 최소화하고 시스템 효율을 높이는 핵심 요소로 작동합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 응답 속도와 제어 정확성을 향상시킵니다. 열 안정성 및 열 관리: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고하중 조건에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 폭넓은 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 환경에서 일관된 성능을 제공합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 레이아웃의 유연성을…
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IRF830PBF-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF830PBF-BE3: 고신뢰성 단일 MOSFET으로 효율적 전원 및 신호 제어 개요 Vishay Siliconix의 IRF830PBF-BE3은 고성능 단일 FET로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 효율적인 전력 변환과 정밀한 신호 제어를 가능하게 합니다. Vishay Siliconix는 파워 모듈, 구동 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 기간 축적한 기술력으로, 자동차, 산업, 소비자 전자, 컴퓨팅 분야에서 안정성과 긴 수명을 강조하는 신뢰받는 브랜드입니다. IRF830PBF-BE3는 첨단 실리콘 공정을 기반으로 설계되어 넓은 작동 영역에서 일관된 성능을 제공합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계의 유연성도 높이며, 전원 공급 장치의 효율 향상은 물론 신호 경로의 정밀 제어에도 적합합니다. 이를 통해 개발자는 고효율 스위칭 전원, 로드 스위치, 모듈형 파워 컨트롤 설계에서 안정적인 동작을 기대할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소: IRF830PBF-BE3는 전류 흐름에 따른 저항이 작아 전력 손실을 줄이고, 열 방출도 관리하기 쉽습니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 드라이버와 컨트롤러의 응답 속도를…
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IRF530PBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF530PBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션을 전문으로 하는 전통 있는 브랜드로, 전력 효율, 열 관리 및 장기 신뢰성에 중점을 둡니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되며, 설계자가 까다로운 전력 제어 요구를 충족하도록 돕습니다. IRF530PBF는 이러한 브랜드 철학을 바탕으로 설계된 고성능 단일 MOSFET로, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 환경이 가혹한 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 신호 제어 정확도를 확보합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 능력으로 지속적인 성능을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 다양한 전압 및 온도 환경에서의 적용 가능성을 제공합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 배치가 유연합니다. 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 충족합니다. 적용 사례…
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