Vishay Siliconix

Vishay Siliconix

해당 카테고리에 2000개의 글이 있습니다.
SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
SIR462DP-T1-GE3: 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 개요 및 주요 특징 Vishay Siliconix의 SIR462DP-T1-GE3은 단일 포맷의 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET로, 낮은 도통손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 이 소자는 저 RDS(on)으로 여러 전력 변환 회로에서 효율을 높이고, 고주파에서도 빠른 스위칭으로 제어 응답을 개선합니다.열 저항이 낮아 열 방출이 용이하고, 넓은 작동 범위를 갖추어 전압과 온도 변화에 강한 신뢰성을 보장합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다수의 표준 패키지로 제공되어 설계 시 PCB 레이아웃의 유연성을 크게 확보합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급), RoHS, REACH와 같은 품질 및 규격 기준을 충족해 다양한 산업 환경에서 신뢰할 수 있는 부품으로 자리매김합니다. 단일 소자가 요구되는 신기술 전력 제어 및 신호 관리 시스템에 적합한 선택지입니다. 적용 분야 및 설계 이점 SIR462DP-T1-GE3은 전력 관리 구간에서 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등으로 널리 활용됩니다. 자동차 전자 시스템에서는 바디 전자장치,…
더 읽어보기 →
SIR582DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR582DP-T1-RE3는 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET로 단일 소자로 설계되어, 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 열적 안정성을 한꺼번에 제공합니다. Vishay의 최첨단 실리콘 공정으로 개발된 이 소자는 다양한 작동 조건에서 효율적인 전력 제어와 안정적인 동작을 보장하도록 최적화되어 있습니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 설계자들이 현대의 파워 및 신호 제어 회로에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높임. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 효율 및 응답성을 향상. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 성능으로 고열 조건에서도 안정적 작동. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 환경에 대응. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 선택 폭 확대. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델 포함), RoHS, REACH를 충족하는 품질 표준. 적용 분야 및 패키지 옵션 SIR582DP-T1-RE3은 전력 관리 영역에서…
더 읽어보기 →
SQJA04EP-T1_BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJA04EP-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET 솔루션 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강력한 초점을 맞춘 제품들을 제공합니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용되는 Vishay Siliconix 제품은 신뢰성 높은 전력 제어와 고효율성으로 인식됩니다. SQJA04EP-T1_BE3의 특징과 장점 Vishay Siliconix SQJA04EP-T1_BE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열적 안정성을 제공하는 고성능 단일 MOSFET로 설계되었습니다. 이 디바이스는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용하여 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 전기적 및 열적 조건 하에서 안정적인 작동을 보장합니다. 이 MOSFET는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 유연한 PCB 레이아웃과 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 이를 통해 엔지니어는 시스템 설계에서 공간 효율성과 성능을 모두 고려할 수 있습니다.…
더 읽어보기 →
SIRA54DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIRA54DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자의 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션으로 잘 알려진 전통 있는 반도체 브랜드입니다. 이 브랜드의 기술력은 자동차에서 산업용, 가전, 컴퓨팅에 이르기까지 다양한 분야에서 안정적인 작동과 긴 수명을 뒷받침합니다. SIRA54DP-T1-GE3는 이러한 배경 속에서 설계된 고성능 단일 트랜지스터- FET로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기/열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 개요 및 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이며, 고효율 DC-DC 컨버터와 로드 스위칭에서 이점을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 적합하도록 최적화되어, 변환 효율과 응답 속도를 향상합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 열 관리 부담을 줄이고 신뢰 시간을 연장합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서도 예측 가능한 동작을 보장합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK,…
더 읽어보기 →
SIHF12N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHF12N60E-GE3는 높은 신뢰성의 Transistors - FETs, MOSFETs 단일 소자 설계로, 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 관리가 우수한 작동 안정성을 제공합니다. Vishay Siliconix는 파워 소자 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로서, 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 효율성과 열 성능, 신뢰성을 중시하는 설계에 초점을 맞추고 있습니다. SIHF12N60E-GE3는 이러한 철학을 바탕으로, 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작과 정확한 전력 제어를 가능하게 하는 고성능 MOSFET으로 개발되었습니다. 주요 특징 저 RDS(on)로Conduction Loss 절감: 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고, 고효율 DC-DC 컨버터 및 파워 모듈의 열 부담을 완화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 스위칭 전환 지연을 최소화하여 전체 시스템 반응성과 효율을 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열 저항 및 견고한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 폭넓은 전압 및 온도 범위를 지원하여 다양한 환경에서의 설계 유연성을 제공합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등…
더 읽어보기 →
SI3437DV-T1-E3 Vishay Siliconix
개요 및 특징 Vishay Siliconix의 SI3437DV-T1-E3는 고신뢰성 트랜지스터 FET로서 단일 소자로 고효율 전력 및 신호 제어를 가능하게 합니다. 이 소자는 낮은 RDS(on)을 통해 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서 우수한 동작을 제공합니다. 또한 열 관리에 강한 특성을 지녀 열 저항이 낮고 열해소가 안정적으로 이루어지도록 설계되어, 까다로운 전기적 및 열 환경에서도 성능 저하를 억제합니다. 넓은 동작 범위와 함께 다양한 산업 환경에서 필요로 하는 전원 관리와 제어 기능을 동시에 수행할 수 있도록 설계되었으며, 제조 공정에서의 일관된 품질과 장기 신뢰성을 확보합니다. 패키지 면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 보드 레이아웃과 실장 설계의 유연성을 극대화합니다. 또한 JEDEC 규격, AEC-Q101( automotive-grade 모델 포함), RoHS, REACH를 충족해 자동차 및 산업 응용에서 요구되는 품질 및 신뢰성 요건을 만족합니다. 이러한 특성은 전력 변환기의 효율 향상, 정밀한 전력 제어 및 시스템의 안정성을 동시에 달성하려는 설계자에게 매력적입니다. 적용 분야 파워…
더 읽어보기 →
SQ2310ES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 한 개로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야의 오랜 강자입니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 라인업으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. SQ2310ES-T1_BE3는 이러한 계열에서 고급 실리콘 공정으로 설계된 단일 소자 MOSFET로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기·열 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성도 확보됩니다. 특징과 성능 낮은 RDS(on)으로 도통 손실 최소화 및 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화 열 안정성 우수: 낮은 열저항과 뛰어난 발열 관리 광범위 작동 범위: 폭넓은 전압 및 온도에서 안정적 동작 가능 패키지 옵션의 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 쉽게 설계 호환 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 준수 적용 분야 및 설계 유연성 SQ2310ES-T1_BE3는…
더 읽어보기 →
IRF730PBF-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF730PBF-BE3은 고신뢰성 트랜지스터로서, 단일 소자로 설계된 FET/MOSFET가 빠른 스위칭과 낮은 전도 손실을 실현하고 harsh한 전기적·열 환경에서도 안정적으로 작동하도록 만들어졌습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제작되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 폭넓은 작동 조건에서 지원하며, 다양한 산업용 레이아웃에 맞춘 다수의 표준 패키지로 제공되어 현대 전력·신호 제어 설계의 유연성을 높입니다. 주요 특징 IRF730PBF-BE3의 핵심은 낮은 RDS(on)로 인한 전도 손실 감소와 빠른 스위칭 특성입니다. 이 두 가지 요소는 고주파 환경이나 고효율 DC-DC 컨버터 설계에서 열 손실을 최소화하고, 시스템 효율을 극대화하는 데 직접적인 이점을 제공합니다. 또한 넓은 동작 범위를 갖춘 고온 및 고전압 조건에서도 안정적인 작동을 보장하는 열적 안정성과 낮은 열저항이 결합되어, 고전력 모듈의 열 관리 설계 간소화에 기여합니다. 패키지 측면에서 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 간편한 통합을 가능하게 합니다. 품질과 규격 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하거나…
더 읽어보기 →
SI8481DB-T1-E1 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI8481DB-T1-E1 — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 싱글 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 강한 초점을 맞춘 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SI8481DB-T1-E1은 저전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 열적 및 전기적 조건 하에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 고성능 트랜지스터 FETs, MOSFETs - 싱글 소자입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 사용하여 설계된 이 제품은 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 작동 시나리오에서 안정적인 성능을 발휘합니다. 이 소자는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 유연한 PCB 레이아웃과 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 용이하게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실 감소로 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능:…
더 읽어보기 →
SI4128DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4128DY-T1-GE3은 단일 소자형 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET으로 설계되어 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 한꺼번에 제공합니다. Vishay의 최첨단 실리콘 공정을 바탕으로 전력 변환과 정밀 파워 제어가 필요한 다양한 시나리오에서 효율성을 극대화하도록 만들어졌으며, 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적으로 동작합니다. 또한 industry 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연성을 더합니다. 주요 특징 및 성능 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고, 열 관리 부담을 감소시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 신속한 전력 제어를 가능하게 하여 잡음과 전력 스펙트럼을 최적화합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 고부하에서도 안정적인 작동을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압과 온도에서 일관된 성능을 발휘하여 설계 범위를 확장합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 기계적 설계에 유연성을 제공합니다. 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS, REACH 등 국제…
더 읽어보기 →