Vishay Siliconix SIHH14N60EF-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로서의 단일 MOSFET가 Power와 신호 제어의 효율을 높이다 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 강력한 파워 솔루션 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션을 선보이며 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. SIHH14N60EF-T1-GE3는 이들 특징을 한데 모아, 저저항 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 요구하는 고급 전력 변환 및 제어 시스템에 최적화되어 있습니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 높이고, 현대의 전력 관리 설계에서 간편한 통합을 가능하게 합니다. 개요 및 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 더 높은 효율 달성 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 맞춘 최적화 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 성능 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위를 확장하여 다양한 환경에서 신뢰성 유지 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 설계 유연성 확보 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(오토모티브 등급 모델),…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix
해당 카테고리에 2000개의 글이 있습니다.
Vishay Siliconix SIJA58DP-T1-GE3는 단일 트랜지스터-FET/MOSFET 계열의 고신뢰성 솔루션으로, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위해 설계되었습니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. SIJA58DP-T1-GE3는 낮은 구동 손실과 빠른 스위칭 특성, 엄격한 열 관리 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이러한 특성은 다양한 작동 시나리오에서 전력 변환의 효율과 시스템 제어의 정확성을 높여 줍니다. 표준화된 패키지 옵션을 통해 PCB 설계의 융통성도 확보됩니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 축소와 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 적합 우수한 열 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 열 방출 넓은 작동 전압 및 온도 범위로 다양한 환경 대응 다양한 패키지 옵션: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 제공 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101( automotive 모델), RoHS, REACH 준수 적용 시나리오 전력 관리 분야에서 SIJA58DP-T1-GE3는 DC-DC 컨버터,…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SIHD9N60E-GE3는 고신뢰성 FET로서 전력과 신호 제어에서 효율성과 안정성을 한꺼번에 끌어올리는 솔루션입니다. Vishay Intertechnology 산하의 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션으로 잘 알려져 있으며, 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. SIHD9N60E-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 엄격한 열 관리 하에서의 안정적인 동작을 실현하도록 설계되었습니다. 폭넓은 작동 전압 및 온도 조건에서도 일관된 성능을 발휘하며, 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대의 전력 및 신호 제어 설계에 유연하게 적용됩니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 도통 손실 감소: 전력 변환기의 효율을 높이고 방열 부담을 줄여 sistem 신뢰성을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도와 제어 정확성을 향상합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 강력한 방열 특성으로 고하중 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도의 확장된 범위에서 예측 가능한 성능을 제공합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SUD15N15-95-BE3 — 고효율 전력 및 신호 제어용 단일 MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션을 전문적으로 제공합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SUD15N15-95-BE3는 이러한 배경 속에서 고성능 트랜지스터—FET, MOSFET의 단일 소자 형태로 설계되어, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 작동 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 주요 특징 및 설계 이점 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고, 열 관리 부담을 완화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 전환 손실을 최소화하고, 전력 변환 회로의 응답성을 개선합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 방열 특성으로 높은 부하에서도 안정적인 작동을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압/온도 범위가 확장되어 다양한 설계 요구를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQP120N06-3M5L_GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품을 제공합니다. Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SQP120N06-3M5L_GE3 개요 Vishay Siliconix SQP120N06-3M5L_GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적, 전기적 조건에서 안정적인 동작을 제공하는 고성능 단일 MOSFET입니다. 이 제품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어, 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용을 최적화하여 빠른 반응성을 보장합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 열 방출 성능을 자랑합니다. 광범위한 동작 범위: 확장된…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQ4401EY-T1_GE3는 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자로서, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위해 설계된 최신 부품입니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 우수한 전력 변환 성능과 안정된 동작 특성을 제공하며, 까다로운 전기적/열적 조건에서도 일관된 성능을 유지합니다. 핵심 특징 저 RDS(on): 도전 손실을 줄여 시스템 효율을 높이는 핵심 지표로 작동합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 환경에서의 제어 정확도와 응답 속도를 지원합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하에서도 안정적인 동작이 가능합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 신뢰로운 성능을 발휘합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성을 제공합니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(오토모티브 등급 모델 포함), RoHS, REACH 등 글로벌 표준을 충족합니다. 적용 분야 및 설계 이점 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서 고효율 제어를 가능하게 합니다. 자동차 전자장치: 차체 전자, 인포테인먼트 시스템,…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQD50P06-15L_T4GE3는 단일 소자로 설계된 고신뢰성 FET/MOSFET로서, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 기반으로 하여 전력 변환과 신호 제어를 보다 효율적으로 수행하도록 고안되었습니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 구현의 용이성을 극대화합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 향상시키며, 열 관리의 부담도 감소시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에서의 전력 변환 효율과 반응 속도를 개선합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 고부하/고온 환경에서도 성능 저하를 최소화합니다. 폭넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 전력 모듈과 신호 제어 회로에 적용 가능합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 기존 보드 설계와의 호환성이 뛰어납니다. 품질 및 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH 등의 산업 표준과 규정을 충족합니다. 적용 분야 전력…
더 읽어보기 →
제품 개요 및 핵심 성능 Vishay Siliconix SIHP15N80AE-GE3는 높은 신뢰성과 효율성을 요구하는 전력 및 신호 제어 애플리케이션에 최적화된 단일형 MOSFET 트랜지스터다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 변환의 효율성, 열 성능, 그리고 장기 안정성에 초점을 맞춰 왔다. SIHP15N80AE-GE3는 저 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성을 결합해 손실을 최소화하고 고주파 응용에서의 동작을 안정화한다. 또한 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원하여 다양한 전력 변환 및 제어 실무 환경에서 예측 가능한 성능을 제공한다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 열 저항이 낮고 열방출이 용이해, 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 보장한다. 이 기기는 표준 패키지로 공급되어 현대적인 PCB 설계에 쉽게 융합될 수 있다. 적용 분야 및 설계 유연성 SIHP15N80AE-GE3는 전력 관리 영역에서 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등 다양한 구성에 활용될 수 있다. 자동차 전자 분야에서는 바디 전자 장치, 인포테인먼트 시스템,…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix IRF9Z34PBF-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 주요 특징 Vishay Siliconix의 IRF9Z34PBF-BE3는 고성능 단일 FET로, 저 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 안정성을 통해 전력 변환과 제어를 한층 정밀하게 수행하도록 설계되었습니다. 이 소자는 RDS(on)가 낮아 도통 손실을 최소화하고, 고주파 환경에서도 안정적인 작동을 유지하는 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 넓은 동작 온도와 전압 범위를 지원해 극한의 전기적/열적 조건에서도 일정한 성능을 확보하며, 열 저항이 낮고 열 방출이 용이한 설계로 모듈의 신뢰성을 향상시킵니다. 패키지 측면에서는 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성을 극대화합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH 표준 준수를 통해 자동차 및 산업 응용에서도 안정적인 품질을 보장합니다. 이처럼 IRF9Z34PBF-BE3는 고효율 파워 설계에 필요한 핵심 요소를 한꺼번에 제공합니다. 적용 시나리오 및 패키지 옵션 전력 관리 분야에서 IRF9Z34PBF-BE3은 DC-DC 컨버터의 주요 스위칭 소자나 로드 스위치로 활용되어 전력…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SUD23N06-31L-T4BE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일형으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 이 브랜드는 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 강력히 집중하고 있으며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SUD23N06-31L-T4BE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 가혹한 전기 및 열 조건에서도 안정적인 작동을 제공하도록 설계된 고성능 트랜지스터 FET, MOSFET 단일형 제품입니다. 이 장치는 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어, 다양한 운영 시나리오에서 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용을 위해 최적화되었습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 열 방출 성능을 자랑합니다. 넓은 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 유연성:…
더 읽어보기 →
