SI2319DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
📅 2025-12-18
SI2319DS-T1-GE3: 고신뢰성 FET로 전력 및 신호 제어의 새로운 표준
개요
Vishay Siliconix SI2319DS-T1-GE3는 단일형 고성능 트랜지스터- FET의 MOSFET으로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적‧열 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay의 선도적 실리콘 공정으로 구현되어 폭넓은 동작 범위에서 효율적 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 다양한 산업 환경에 맞춘 패키지 옵션으로 유연한 PCB 레이아웃과 손쉬운 시스템 통합을 지원합니다. 이 디바이스는 자동차, 산업, 소비자 가전, 컴퓨팅 등 광범위한 응용 분야에서 신뢰성과 성능 사이의 균형을 제공합니다.
주요 특징
- Low RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이고 발열 관리 부담을 줄입니다.
- Fast Switching Performance: 고주파 응용에서도 빠른 전환 속도로 응답성을 향상시키며 고효율 전력 변환을 가능하게 합니다.
- Thermal Stability: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 상황에서도 안정적으로 작동합니다.
- Wide Operating Range: 폭넓은 전압·온도 범위를 지원하여 다양한 환경의 설계 유연성을 제공합니다.
- Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서 선택 가능해 현대 파워 시스템의 레이아웃과 실장에 유연합니다.
- Quality
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