SI2351DS-T1-E3 Vishay Siliconix

SI2351DS-T1-E3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-19

Vishay Siliconix SI2351DS-T1-E3 — 고신뢰성 전력·신호 제어를 위한 MOSFET 솔루션

제품 개요 및 핵심 특성
Vishay Intertechnology의 브랜드인 Vishay Siliconix가 설계한 SI2351DS-T1-E3는 단일 채널 MOSFET으로서 낮은 온저항(RDS(on)), 빠른 스위칭 응답, 그리고 높은 열적 안정성을 결합한 소자로 설계되었습니다. 첨단 실리콘 공정을 기반으로 전력 변환과 정밀한 전력 제어가 요구되는 환경에서 우수한 성능을 발휘하도록 최적화되어 있습니다. 주요 특성으로는 저항 손실 저감으로 효율을 향상시키는 저 RDS(on), 고주파 응용에 적합한 빠른 스위칭 성능, 소자의 발열을 효율적으로 처리하는 낮은 열저항 등이 포함됩니다. 또한 넓은 동작 전압 및 온도 범위를 지원해 까다로운 산업·자동차 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 패키지 측면에서는 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃 유연성을 높이고 통합 설계를 용이하게 합니다. 품질 규격 면에서는 JEDEC 기준을 준수하며, 자동차용 모델은 AEC‑Q101 인증을 갖춘 경우가 있어 RoHS 및 REACH 규정에도 부합합니다.

주요 응용 분야와 설계 이점
SI2351DS-T1-E3는 광범위한 응용 시나리오에 적합합니다. 전력 관리 영역에서는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 전력 모듈 등에서 높은 효율과 낮은 손실을 통해 시스템 전력 효율을 향상시킵니다. 자동차 전자장비에서는 바디 일렉트로닉스, 인포테인먼트, 조명 및 전기차 서브시스템과 같은 영역에서 온도·전압 변동에 강한 신뢰성을 제공합니다. 산업 분야에서는 모터 드라이브, 전원 공급장치, 자동화 제어기에서 고주파 스위칭과 견고한 열 관리 특성이 큰 장점입니다. 소비자 전자 제품에서는 노트북, 충전기, 어댑터 및 휴대용 기기에서 소형화와 효율 향상 요구를 충족시키며, 서버·네트워킹 장비의 VRM 및 통신 전원 구조에서도 효과적인 전력 제어 역할을 합니다. 재생에너지 영역에서는 인버터, 에너지 저장 시스템, 전력 컨디셔닝 장치에 적용되어 시스템 전체의 에너지 변환 효율을 개선할 수 있습니다.

설계 통합 관점에서 SI2351DS-T1-E3는 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 덕분에 열 관리 요구가 완화되어 방열 설계에 유연성을 제공합니다. 다양한 패키지 선택은 열 특성, PCB 면적, 조립 공정에 맞춘 최적화된 솔루션을 가능하게 하며, 자동차 등 고신뢰성 시장을 겨냥한 모델은 장기 신뢰성 요구를 만족시킵니다.

결론
Vishay Siliconix SI2351DS-T1-E3는 효율성, 열적 강건성, 설계 유연성을 균형 있게 결합한 단일 채널 MOSFET으로, 전력 관리부터 자동차·산업·소비자·컴퓨팅 및 재생에너지 분야에 이르기까지 다양한 응용처에서 신뢰할 수 있는 선택지입니다. ICHOME은 해당 부품을 100% 정품으로 공급하며, 공인된 소싱, 경쟁력 있는 가격, 부품 선택을 위한 기술 지원과 빠른 글로벌 배송을 통해 리드타임 리스크를 줄이고 안정적인 생산을 지원합니다.

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