SI3460BDV-T1-E3 Vishay Siliconix
📅 2025-12-18
SI3460BDV-T1-E3: 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현
Vishay Siliconix의 SI3460BDV-T1-E3은 단일 포지션의 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET으로서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 악조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 설계된 이 소자는 전력 변환과 정밀 제어가 필요한 다양한 시스템에서 효율을 극대화하고, 폭넓은 작동 스펙에 대응하도록 만들어졌습니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 손쉬운 PCB 레이아웃과 유연성을 제공합니다.
핵심 특징
- Low RDS(on): 전도 손실을 최소화하고 시스템 효율을 높임
- Fast Switching Performance: 고주파 응용에서 빠른 전환으로 응답 속도 향상
- Thermal Stability: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 특성으로 고온에서도 신뢰 성 유지
- Wide Operating Range: 광범위한 전압 및 온도 조건에서 안정적 작동
- Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 선택의 폭 확장
- Quality
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