SI3465DV-T1-GE3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-18

개요 및 특징
Vishay Siliconix SI3465DV-T1-GE3은 고성능 단일 MOSFET으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 변환 및 신호 제어에서 높은 효율을 실현합니다. 이 소자는 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 성능으로 고주파 환경에서도 정확한 제어를 가능하게 합니다. 또한 열 저항이 낮고 열 방출이 견고하여 열적 안정성을 보장하는 설계가 특징이며, 다양한 작동 전압 및 온도 조건에서 안정적으로 작동하도록 폭넓은 작동 범위를 제공합니다. 패키지 측면에서도 유연성이 뛰어나 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 PMIC 설계 및 시스템 레이아웃에 쉽게 통합할 수 있습니다. 품질과 신뢰성은 JEDEC 규격 준수는 물론 자동차용 AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH와 같은 글로벌 규정에 부합하는 점이 강조됩니다. 이처럼 Vishay의 정교한 실리콘 공정으로 개발된 SI3465DV-T1-GE3는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 요구하는 다양한 애플리케이션에서 안정적인 성능을 공급합니다. 패키지 다양성은 엔지니어가 PCB 레이어링과 열 관리 전략에 맞춰 최적의 레이아웃을 선택할 수 있게 하며, 설계 초기 단계부터 양산까지의 전반적인 구현 부담을 줄여 줍니다.

적용 분야
SI3465DV-T1-GE3은 전력 관리부터 자동차, 산업 및 소비자 전자 분야까지 광범위하게 활용됩니다. 전원 관리 분야에서는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서 핵심적인 스위칭 소자로 작동하며, 고주파 환경에서도 효율적인 전력 제어를 가능하게 합니다. 자동차 전자 시스템에서는 차체 전자장치, 인포테인먼트 시스템, 조명 제어, EV 서브시스템 등의 고온·고전압 조건에서도 신뢰성을 유지합니다. 산업 시스템에서는 모터 드라이브, 파워 서플라이, 자동화 컨트롤러의 핵심 구성요소로 사용되며, 소비자 전자 분야에서는 노트북, 충전기, 어댑터, 휴대용 기기 같은 휴대성과 효율성을 요구하는 제품에 적합합니다. 컴퓨팅 및 네트워킹 분야에서도 서버의 VRM, 텔레콤 파워 아키텍처를 구성하는 데 유용하며, 재생에너지 분야의 인버터나 에너지 저장 장치의 파워 컨디셔닝에도 기여합니다. 이처럼 SI3465DV-T1-GE3은 다양한 전력 ETL 요구사항을 충족시키며, 설계 유연성과 시스템 신뢰성을 동시에 제공합니다.

유통 및 지원
ICHOME은 SI3465DV-T1-GE3 시리즈를 포함한 모든 Vishay Siliconix 부품을 100% 정품으로 공급합니다.

• 인증된 추적 가능한 소싱
• 경쟁력 있는 가격
• 부품 선정에 대한 기술 지원
• 전 세계 신속 배송
  이 밖에도 우리는 공급 리스크를 줄이고 품질의 일관성을 유지하며, 장기 생산 안정성을 보장하는 파트너십을 제공해 왔습니다.

결론
SI3465DV-T1-GE3은 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭으로 고효율을 달성하고, 폭넓은 작동 범위와 다양한 패키지 옵션으로 설계 유연성을 극대화하는 고성능 MOSFET입니다. 자동차, 산업, 소비자 전자 등 다양한 시장에서 신뢰성과 성능을 동시에 필요로 하는 애플리케이션에 적합하며, ICHOME의 유통 및 기술 지원 체계와 결합하면 양산 단계에서의 리스크를 크게 낮출 수 있습니다.