SI4168DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4168DY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어
핵심 기술과 성능
SI4168DY-T1-GE3은 단일 MOSFET으로 설계된 고성능 트랜지스터로, 낮은 RDS(on)으로 도통 손실을 줄이고 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에 최적화되어 있습니다. 이 칩은 열 저항이 낮고 열방출이 우수한 구조를 통해 고온에서도 안정적으로 동작하며, 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 바이오스나 전력 모듈의 설계에서 전력 손실과 발열 관리가 중요한 상황에서 유리합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지를 제공하여 PCB 레이아웃의 유연성과 디자인의 단순화를 가능하게 합니다. 품질 및 규격 면에서도 JEDEC 표준 준수는 물론 AEC-Q101(차량용 등급 모델), RoHS 및 REACH 같은 환경 및 품질 규정을 충족합니다. 이러한 특징은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로, 고효율 전력 변환과 정확한 제어를 필요로 하는 광범위한 애플리케이션에서 신뢰할 수 있는 성능을 제공합니다.
적용 분야 및 설계 이점
SI4168DY-T1-GE3는 전력 관리에서 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등 전력 변환 소자의 핵심 구성요소로 널리 사용됩니다. 자동차 전자 장치의 바디 전자, 인포테인먼트 시스템, 조명 시스템 및 전기차 서브시스템에서도 요구되는 고신뢰성 및 안정성을 제공합니다. 산업 분야에서는 모터 드라이브, 파워 서플라이, 자동화 컨트롤러의 실제 구동 및 제어에 적합합니다. 또한 소비자 전자 기기인 노트북, 충전기, 어댑터, 휴대용 기기에서도 효율적 에너지 관리와 신뢰성 높은 동작을 기대할 수 있습니다. 컴퓨팅 및 네트워킹 망에서도 서버의 전원 관리 모듈, VRM, 통신 파워 아키텍처 등에 적용되어 고주파 환경에서도 안정적인 제어를 가능하게 합니다. 재생에너지 분야의 인버터, 에너지 저장장치, 파워 컨디셔닝 시스템에서도 높은 견고성과 효율을 발휘합니다. 단일 FET 구조로 설계된 이 칩은 기존 구동 회로와의 호환성을 유지하면서 설계 공간과 비용을 최적화하는 이점을 제공합니다.
구매 및 지원 옵션
ICHOME은 SI4168DY-T1-GE3 시리즈를 포함한 100% 정품 Vishay Siliconix 부품을 제공합니다. 주요 이점은 다음과 같습니다.
- 인증 및 추적 가능한 공급망: 공식 유통 경로를 통해 신뢰성 높은 재고 관리
- 경쟁력 있는 가격: 프로젝트 예산에 맞춘 합리적 비용 구조
- 부품 선택에 대한 기술 지원: 회로 설계 및 부품 선정에 필요한 전문 조언
- 빠른 글로벌 배송: 지역별 리드타임 최소화와 생산 안정성 확보
이와 같은 지원으로 엔지니어는 차세대 전력 제어 설계에서 공급 리스크를 줄이고, 장기 생산 일정의 예측 가능성을 높일 수 있습니다. 패키지 옵션의 다양성은 보드 설계의 융통성을 강화합니다.
결론
SI4168DY-T1-GE3은 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭으로 전력 손실을 줄이고, 안정적인 열 관리와 넓은 작동 범위를 통해 다양한 산업군에서 신뢰성 높은 전력 및 신호 제어를 제공합니다. 다수의 표준 패키지와 폭넓은 규격 준수는 설계의 유연성과 법규 준수 가능성을 함께 높이며, 자동차에서 산업·소비자 전자에 이르는 광범위한 응용에 어울립니다. ICHOME의 정품 공급과 기술 지원은 프로젝트의 리드타임 리스크를 낮추고 장기 생산 안정성을 뒷받침합니다.
