SI7850DP-T1-E3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-15

Vishay Siliconix SI7850DP-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현

개요 및 주요 특징
Vishay Siliconix SI7850DP-T1-E3는 고성능의 단일 트랜지스터(FET, MOSFET)로 설계되어 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 최첨단 실리콘 공정을 채택해 폭넓은 작동 전압 및 온도 조건에서도 안정적으로 동작하도록 만들어졌습니다. 효율적인 전력 변환과 정밀한 신호 제어를 가능하게 하며, 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성을 높입니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(오토모티브 등급 모델), RoHS 및 REACH와 같은 품질 및 규정 준수를 충족합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 옵션은 현대의 파워 설계에서 PCB 레이아웃과 설치를 단순화합니다.

응용 분야 및 설계 유연성
SI7850DP-T1-E3는 다양한 신뢰성 요구와 고주파 전력 제어가 필요한 응용 분야에 적합합니다.

• 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에서 효율성 향상과 열 관리의 균형을 제공.
• 자동차 전자: 차체 전자, 인포테인먼트, 조명 시스템, EV 하위 시스템에서 견고한 성능 보장.
• 산업 시스템: 모터 드라이브, 파워 서플라이, 자동화 제어 장치에서의 안정적인 동작.
• 소비자 전자: 노트북, 충전기, 어댑터, 휴대용 기기 등 고주파 스위칭이 필요한 영역에 적합.
• 컴퓨팅 및 네트워킹: 서버의 VRM(전압 조정 모듈) 및 텔레콤 파워 아키텍처에서 일관된 전력 제어 제공.
• 재생 에너지 분야: 인버터 및 에너지 저장 시스템의 파워 컨디셔닝에 적용 가능.

설계 유연성은 넓은 작동 전압 범위와 온도 범위, 낮은 RDS(on)으로 인한 전력 손실 감소, 고주파 스위칭 성능에 기반합니다. 패키지 다양성은 레이아웃 제약을 줄이고 다중 설계 옵션을 가능하게 하며, 열 저항과 열 관리 설계에서의 여유를 제공합니다. 이로 인해 자동차, 산업 및 소비자 영역의 모듈식 설계와 신뢰성 요구를 동시에 충족합니다.

결론
SI7850DP-T1-E3는 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭, 뛰어난 열 안정성을 바탕으로 고성능 전력 및 신호 제어 시스템을 구현하는 데 이상적인 단일 MOSFET 솔루션입니다. 다양한 산업 표준 패키지와 엄격한 품질 규정 준수, 그리고 폭넓은 작동 범위 덕분에 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 및 재생 에너지 등 광범위한 응용 분야에서 설계 자유도와 신뢰성을 제공합니다. ICHOME은 100% 정품 Vishay Siliconix 부품인 SI7850DP-T1-E3 시리즈를 Authorized 및 추적 가능한 소싱으로 공급하며, 경쟁력 있는 가격, 부품 선택에 대한 기술 지원, 글로벌 신속 배송 서비스로 공급 리스크를 줄이고 장기 생산 안정성을 지원합니다. 필요 시 전문가와 상담해 최적의 부품 선택과 공급 전략을 함께 설계해 드립니다.