SIB417DK-T1-GE3 Vishay Siliconix

SIB417DK-T1-GE3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-19

Vishay Siliconix SIB417DK-T1-GE3 — 고신뢰성 단일 MOSFET으로 효율적인 전원·신호 제어

Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 대표적인 전력 반도체 브랜드로, 전력 효율, 열성능, 장기 신뢰성에 집중한 고성능 MOSFET과 전력 IC를 제공한다. SIB417DK-T1-GE3는 이러한 기술력이 응집된 단일 채널 MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기·열 환경에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었다. 고효율 전력 변환과 정밀한 전력 제어가 요구되는 현대의 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 설계에서 유연하게 활용될 수 있다.

주요 특징

  • 낮은 RDS(on): 전도 저항을 최소화해 시스템 효율을 높이고 발열을 줄인다. 이는 특히 배터리 기반 장치나 고효율 DC-DC 컨버터에서 전력 손실을 줄이는 데 직접적인 영향을 준다.
  • 빠른 스위칭 성능: 고주파 동작에 최적화되어 전력 밀도를 높이고 인덕터·캐패시터 크기를 줄이는 설계에 유리하다.
  • 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 열 분산으로 높은 온도 환경에서도 성능 저하를 억제하며, 열 사이클에 대한 내구성이 우수하다.
  • 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 애플리케이션 요구조건을 수용한다.
  • 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃 제약을 줄이고 설계 통합을 쉽게 해준다.
  • 품질 및 규정 준수: JEDEC, RoHS, REACH를 준수하고, 자동차용 모델은 AEC-Q101 등급을 따르는 경우가 있어 신뢰성이 중요한 제품군에 적합하다.

적용 분야 및 설계 장점
SIB417DK-T1-GE3는 전력 관리 영역에서 특히 빛을 발한다. 예컨대 DC-DC 컨버터, 부하 스위치, 전력 모듈에서는 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭으로 변환 효율을 높이고 열 설계를 단순화할 수 있다. 자동차 전자장비에서는 바디 일렉트로닉스, 인포테인먼트, 조명 제어 및 전기차 서브시스템에서 견고한 신뢰성이 요구되는데, AEC-Q101 준수 모델이 이러한 요구를 충족시킨다.

산업용 모터 드라이브, 자동화 제어기, 서버나 네트워크 장비의 VRM 설계에서도 SIB417DK-T1-GE3는 고주파 특성 유지와 열관리 이점을 제공한다. 소비자용 충전기·어댑터·휴대기기에서는 전력 손실 감소로 배터리 효율과 제품 발열 관리에 기여하며, 재생에너지 인버터나 에너지 저장 시스템에서는 높은 전력 밀도와 신뢰성이 요구되는 핵심 부품으로 활용될 수 있다.

결론
Vishay Siliconix SIB417DK-T1-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭, 우수한 열 안정성을 결합한 고신뢰성 단일 MOSFET으로 다양한 전력·신호 제어 설계에 적합하다. 패키지 선택의 자유와 산업 표준 규정 준수는 설계 통합과 장기 생산 안정성을 지원한다. ICHOME은 SIB417DK-T1-GE3를 포함한 Vishay Siliconix 정품을 정식 소싱, 경쟁력 있는 가격, 부품 선정에 대한 기술 지원 및 신속한 글로벌 배송으로 제공해 리드타임 리스크를 줄이고 일관된 품질 확보를 돕는다.

구입하다 SIB417DK-T1-GE3 ?

ICHOME은 고객이 신뢰할 수 있는 독립적인 전자 부품 유통업체가 되기 위해 최선을 다하고 있습니다.

BOM 비용 절감 | 구하기 힘든 부품

클릭하여 보기 SIB417DK-T1-GE3 →

ICHOME TECHNOLOGY