SIE820DF-T1-GE3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-16

Vishay Siliconix SIE820DF-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET) MOSFET 단일 패키지로 창의적 전력 및 신호 제어 실현

개요 및 핵심 특징
Vishay Siliconix가 제공하는 SIE820DF-T1-GE3는 고성능 트랜지스터- FET로, 낮은 ON 저항(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성을 결합해 전도 손실을 줄이고 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 프로세스로 제조되어, 전력 변환 효율을 높이고 엄격한 열 관리 조건에서도 신뢰성을 유지하게 설계되었습니다. 또한 다양한 작동 전압 및 온도 범위를 포용하는 광범위한 운용 가능성, 그리고 복합 시스템의 요구를 충족하는 패키지 유연성을 제공합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 있어 제조사 및 설계 엔지니어가 PCB 레이아웃에 맞춰 손쉽게 통합할 수 있습니다. 품질 면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH와 같은 국제 표준을 충족하여 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야의 신뢰성 요구를 충족합니다.

적용 시나리오 및 설계 이점
SIE820DF-T1-GE3는 다양한 전력 및 신호 제어 시나리오에 최적화되어 있습니다.

• 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서 효율 개선과 발열 관리 간의 균형을 제공합니다.
• 자동차 전자: 차체 전자장치, 인포테인먼트, 조명 시스템 및 EV 구동 보조 하위 시스템에서 안정적 전력 제어를 가능하게 합니다.
• 산업 시스템: 모터 구동장치, 파워 서플라이, 자동화 제어 시스템에서 고신뢰성과 일관된 동작을 지원합니다.
• 소비자 가전: 노트북, 충전기, 어댑터, 휴대용 기기 등에서 소형 패키지로 높은 전력 밀도를 구현합니다.
• 컴퓨팅 및 네트워킹: 서버의 VRM/전원 아키텍처 및 통신 인프라의 안정적 전력 공급에 기여합니다.
• 재생에너지: 인버터, 에너지 저장 시스템 및 전력 조건화 회로에서 견고한 동작과 열 관리 우수성을 제공합니다.
  패키지 다양성은 설계의 융통성을 높이며, 열 저항이 낮고 견고한 방열 특성은 고주파 및 고부하 조건에서도 전기적 신호의 품질을 유지하게 해줍니다. 이로써 설계자는 부품 선택과 PCB 레이아웃에서 여유를 가지며 시스템의 총 소요 비용을 최적화할 수 있습니다.

공급망 지원 및 품질 보증
ICHOME은 SIE820DF-T1-GE3 시리즈를 포함한 Vishay Siliconix 부품의 100% 정품 공급과 추적 가능한 조달 경로를 약속합니다. 또한 경쟁력 있는 가격으로 제공하고, 부품 선정에 대한 기술 지원을 지원합니다. 글로벌 배송의 신속성은 리드 타임 리스크를 줄이고, 장기 생산 안정성 확보에 기여합니다. 이처럼 신뢰할 수 있는 공급망 파트너로서 고객은 자동차, 산업, 소비자 및 데이터 센터 등 다양한 시장에서 지속적인 생산 흐름을 유지할 수 있습니다.

결론
SIE820DF-T1-GE3는 낮은 conduction 손실과 빠른 스위칭, 뛰어난 열 안정성 및 폭넓은 운용범위를 하나의 솔루션에 담아낸 고신뢰성 MOSFET입니다. 다양한 표준 패키지 지원과 첨단 품질 규정을 충족함으로써, 전력 및 신호 제어가 필요한 현대 시스템의 설계 유연성과 내구성을 크게 향상시킵니다. ICHOME의 전문 지원과 함께하면, 부품의 신뢰성과 납기 안정성을 동시에 확보할 수 있습니다.