SIHB20N50E-GE3 Vishay Siliconix
📅 2025-12-16
Vishay Siliconix SIHB20N50E-GE3는 고신뢰성 전력용 MOSFET으로, 단일 소자에서 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 속도, 그리고 까다로운 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay Siliconix의 선도적인 파워 MOSFET 설계와 최신 실리콘 공정 기술이 결합되어, 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 광범위한 작동 시나리오에 걸쳐 지원합니다. 또한 다양한 산업 표준 패키지 옵션으로 설계 유연성을 높여, 현대의 파워 및 신호 제어 회로에 쉽게 적합합니다.
주요 특징
- Low RDS(on): 전도 손실을 낮춰 시스템 효율을 높이고 발열을 최소화합니다.
- Fast Switching Performance: 고주파 응용에서도 스위칭 손실을 줄이고 응답 속도를 빠르게 유지합니다.
- Thermal Stability: 낮은 열 저항과 우수한 열 방산으로 고부하 조건에서도 안정적 동작을 보장합니다.
- Wide Operating Range: 전압 및 온도 범위 확대로 다양한 환경에서 신뢰성 있는 동작을 제공합니다.
- Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 PCB 레이아웃과 기계적 설계의 융통성을 제공합니다.
- Quality
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