SIHD11N80AE-T1-GE3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-18

Vishay Siliconix SIHD11N80AE-T1-GE3는 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자로서, 효율적인 전력 및 신호 제어가 필요한 현대 설계에 최적화되어 있습니다. 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성, 열 특성의 안정성을 한꺼번에 제공하며, 광범위한 작동 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. Vishay의 최첨단 실리콘 공정을 적용해 전력 변환과 제어의 효율성을 높이고, 다양한 산업 환경에서 신뢰성을 확보합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 현대의 PCB 레이아웃에 쉽게 통합할 수 있습니다.

주요 특징 및 설계 이점

• 낮은 RDS(on): 컨덕션 손실을 줄여 시스템 전력 효율을 향상시키며, 열 관리 부담을 완화합니다.
• 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 핀치력 소실을 최소화하고, 스위칭 손실을 감소시킵니다.
• 열 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 방열 특성으로 고부하 환경에서도 안정적 동작을 유지합니다.
• 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가 광범위하여 다양한 전력 모듈과 시나리오에 대응합니다.
• 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지로 설계 유연성이 큽니다.
• 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 grade 모델), RoHS, REACH를 충족, 신뢰성 있는 부품으로 설계 수명 주기를 보장합니다.

적용 분야 및 설계 고려사항

• 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서 컨덕턴스와 전력 변환 효율을 극대화합니다.
• 자동차 전장: 바디 전자, 인포테인먼트, 조명 시스템, EV 구동 보조 전원 등에서 고온 및 진동 환경에서도 안정적인 작동을 제공합니다.
• 산업 시스템: 모터 드라이브, 고효율 파워 서플라이, 자동화 제어 시스템에서 신뢰성과 열 관리의 균형을 유지합니다.
• 가전 및 컴퓨팅: 노트북, 충전기, 어댑터, 서버의 VRM 및 전원 구간에서 빠른 스위칭과 낮은 손실로 시스템 효율을 높입니다.
• 재생 에너지 및 전력 conditioning: 인버터 및 에너지 저장 시스템에서 넓은 동작 범위와 열 특성의 안정성이 필요할 때 유리합니다.

패키지 유연성 및 품질 준수
다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 설계 자유도가 높습니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 준수하는 품질 체계를 갖춰 장기적인 생산 안정성을 제공합니다.

배포 및 지원
ICHOME은 Vishay Siliconix SIHD11N80AE-T1-GE3 시리즈의 100% 정품 공급을 보장합니다. 인증된 소싱 및 추적 가능성, 경쟁력 있는 가격, 부품 선정에 대한 기술 지원, 전 세계 신속 배송을 제공합니다. 이를 통해 리드타임 리스크를 줄이고, 품질의 일관성과 장기 생산 안정성을 확보할 수 있습니다.

결론
SIHD11N80AE-T1-GE3은 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭, 뛰어난 열 안정성, 광범위한 작동 범위를 하나로 묶은 고신뢰성 MOSFET 솔루션입니다. 다양한 산업과 설계 상황에서 전력 변환 효율과 제어 정확도를 높이며, 패키지 선택의 유연성과 국제 표준 준수를 통해 설계자에게 실질적인 이점을 제공합니다.