SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix

SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-18

SIHG73N60E-GE3: 고신뢰성 FET로 효율과 제어의 새로운 표준

SIHG73N60E-GE3은 단일형 고성능 MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 및 전기적 견고성을 한꺼번에 제공합니다. Vishay Siliconix의 선진 실리콘 공정을 바탕으로 설계된 이 부품은 전력 변환 및 신호 제어의 효율성을 극대화하며, 다양한 운용 조건에서도 안정적으로 작동하도록 고안되었습니다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 시스템 설계의 유연성을 강화합니다.

핵심 특징

  • 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 고효율 전력 변환 실현
  • 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서 신속한 응답과 개선된 시스템 효율
  • 열 안정성: 낮은 열 저항과 효과적인 방열 특성으로 고온 환경에서도 신뢰 유지
  • 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 변화가 큰 환경에서도 안정적인 동작
  • 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 구성에 대응
  • 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS, REACH를 충족

적용 시나리오 및 설계 고려사항
Power Management 분야에서 SIHG73N60E-GE3은 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에 이상적인 선택입니다. 낮은 RDS(on)와 빠른 스위칭은 전력 손실을 최소화하고 열 관리 부담을 줄이며, 소형 패키지 선택으로 고밀도 설계에 유리합니다. 자동차 전자 시스템에서는 바디 전자, 인포테인먼트, 조명, EV 서브시스템 등 다방면의 고신뢰성 기준을 충족하도록 설계되어 있습니다. 산업용 시스템의 모터 드라이브와 전원 공급장치, 자동화 컨트롤러에서도 견고한 성능을 제공합니다. 또한 노트북, 충전기, 어댑터와 같은 소비자 전자 기기에서의 고효율 전력 제어에도 적합합니다. 컴퓨팅 및 네트워킹 분야에서는 서버의 VRM, 텔레콤 파워 아키텍처의 안정적인 전력 공급을 지원합니다. 재생 에너지 분야에서는 인버터, 에너지 저장 시스템, 전력 conditioning 장치에서도 성능 여유를 제공합니다. 고주파 스위칭이 필요한 설계인 경우, Vishay의 실리콘 공정으로 구현된 이 소자는 고속 스위칭과 낮은 손실의 균형을 달성합니다. 또한 AEC-Q101 자동차 등급의 모델이 제공될 수 있어, 엄격한 자동차 품질 요건을 충족하는 설계에 적합합니다. 설계 시 게이트 드라이브 전압, dv/dt 관리, 역전압 및 에벌런스(내전압) 특성 등 구체적인 파라미터를 프로젝트 시작 단계에서 정리하는 것이 중요합니다.

유통 및 지원
ICHOME은 Vishay Siliconix SIHG73N60E-GE3 시리즈의 100% 정품 공급을 약속합니다. 공식 인증된 공급망으로의 신뢰 가능한 소싱, 경쟁력 있는 가격, 부분별 선택에 대한 기술 지원, 전 세계 빠른 배송을 제공합니다. 이를 통해 리드타임 리스크를 감소시키고 품질의 일관성을 확보하며 장기 생산 안정성을 지원합니다. 필요 시 부품 선정에 대한 컨설팅과 대량 구매 옵션도 안내합니다.

결론
SIHG73N60E-GE3은 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭, 뛰어난 열 성능을 갖춘 단일 MOSFET으로, 자동차부터 산업, 소비자 전자까지 폭넓은 응용 영역에서 고효율 전력 제어를 가능하게 합니다. 다양한 패키지 선택과 품질 표준 준수로 설계 유연성을 확보하고, ICHOME의 신뢰성 있는 유통 및 지원으로 생산 안정성을 뒷받침합니다. 이 부품으로 고성능 파워 및 신호 제어 시스템의 구현이 한층 수월해질 것입니다.

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