SQJQ100E-T1_GE3 Vishay Siliconix
📅 2025-12-18
Vishay Siliconix SQJQ100E-T1_GE3는 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 중 단일 소자로 설계된 고성능 부품입니다. 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 conduction 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 관리의 안정성을 함께 제공하도록 최적화되어 있어 다양한 산업 분야의 고주파 및 고전압 환경에서도 안정적으로 작동합니다. Vishay Siliconix의 정밀한 실리콘 공정과 설계 노하우가 반도체의 효율성과 신뢰성을 동시에 높이며, 가전, 산업, 자동차 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다.
개요
SQJQ100E-T1_GE3는 단일 MOSFET으로, 전력 변환 회로의 효율 향상과 제어 정확도를 동시에 달성하도록 개발되었습니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 공정으로 만들어져 낮은 RDS(on)와 빠른 스위칭 속도를 제공하며, 열 저항이 낮아 고온 환경에서도 안정적인 동작을 지원합니다. 또한 광범위한 동작 전압과 온도 범위를 커버해 다양한 회로 설계에 융통성을 제공합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지를 폭넓게 제공하여 PCB 레이아웃과 시스템 설계의 유연성을 높입니다. 품질 측면으로는 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 준수하는 것으로 공인되어 있습니다.
주요 특징 및 적용 영역
주요 특징
- Low RDS(on): 도통 손실을 줄여 고효율 실현
- Fast Switching Performance: 고주파 응용에서도 안정적인 스위칭
- Thermal Stability: 낮은 열 저항과 우수한 열방출로 고부하에서도 안정적
- Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도 범위 지원
- Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 다수
- Quality
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