SQM100N04-2M7_GE3 Vishay Siliconix
📅 2025-12-16
Vishay Siliconix SQM100N04-2M7_GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 파워 및 신호 제어 실현
고신뢰성 MOSFET SQM100N04-2M7GE3의 설계 개요
Vishay Siliconix가 제공하는 SQM100N04-2M7GE3은 단일 트랜지스터- FET로서, 전력 변환과 신호 제어에서 높은 효율과 안정성을 동시에 추구하는 엔지니어링 목표를 반영해 개발되었습니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 전력 손실을 낮추고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 환경에서도 일관된 동작을 보입니다. 열 조건이 가혹한 상황에서도 견고한 성능을 유지하도록 설계되었으며, 다양하게 확장 가능한 작동 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 이러한 설계 철학은 자동차, 산업, 컴퓨팅 및 소비자 전자 분야에서 요구되는 긴 수명과 신뢰성을 뒷받침합니다.
주요 특징 및 패키지 옵션
SQM100N04-2M7_GE3의 핵심은 다음과 같은 성능 균형에 있습니다.
- Low RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이고, 열 관리 부담을 줄입니다.
- Fast Switching Performance: 고주파 스위칭에 적합한 반응 속도와 낮은 스위칭 손실을 제공합니다.
- Thermal Stability: 낮은 열 저항 및 우수한 방열 특성으로 고부하 상황에서도 안정적 동작을 유지합니다.
- Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도 스펙으로 다양한 설계 조건에 대응합니다.
- Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 제조 편의성을 향상시킵니다.
- Quality
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